[发明专利]半导体元件、半导体元件阵列基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200410102042.2 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1629706A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 川村哲也 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制静电破坏、能够提高成品率的半导体元件阵列基板。在清洗玻璃基板3的层间绝缘膜一侧之前，在各像素5的每个显示点5a、5b、5c形成隔着层间绝缘膜与栅极电极布线11连通而开口的空孔36。在清洗玻璃基板3的层间绝缘膜一侧时，通过空孔36在栅极电极布线11集聚与薄膜晶体管8的多晶硅半导体层21集聚的电荷同样的电荷。栅极电极布线11与多晶硅半导体层21处于近似相等的电位。能够抑制在多晶硅半导体层21与栅极电极布线11之间产生的电位差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括半导体层；与该半导体层分离设置的布线层；以及设置在该布线层的相对于所述半导体层的反面侧、并具有与所述半导体层连通而开口的第1开口部以及与所述布线层连通而开口的第2开口部的层间绝缘层。
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