[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200410083491.7 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1605918A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 林柄昊;徐铉植;金泓植;赵兴烈 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00;H01L29/786;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板器件包括：形成在基板上的选通线；与选通线交叉的数据线，在两者之间具有栅绝缘图案；位于选通线和数据线交叉处的薄膜晶体管；在由选通线和数据线的交叉所限定的像素区形成的并且连接到薄膜晶体管的像素电极；具有连接到选通线的下选通焊盘电极和连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极的选通焊盘部；具有连接到数据线的下数据焊盘电极和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极的数据焊盘部；以及在除了包括像素电极、上数据焊盘电极和上选通焊盘电极的区域以外的区域上形成的钝化膜图案，其中，像素电极形成于由钝化膜图案暴露的像素区域的栅绝缘图案上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板器件，包括：在基板上形成的选通线；与选通线交叉的数据线，在两者之间具有栅绝缘图案；位于选通线和数据线交叉处的薄膜晶体管；像素电极，形成于由选通线和数据线的交叉所限定的像素区域中并连接到薄膜晶体管；选通焊盘部，具有连接到选通线的下选通焊盘电极和连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极；数据焊盘部，具有连接到数据线的下数据焊盘电极和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极；以及钝化膜图案，形成于除了包括像素电极、上数据焊盘电极和上选通焊盘电极的区域以外的区域，其中，像素电极形成于由钝化膜图案暴露的像素区域的栅绝缘图案上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG.菲利浦LCD株式会社，未经LG.菲利浦LCD株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410083491.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：同时制造各种尺寸的隔离结构的方法
- 下一篇：电机
