[发明专利]磁电阻效应元件、磁头和磁再现设备有效
| 申请号： | 200410083163.7 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604355A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 汤浅裕美;福泽英明;桥本进;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 效应 元件 磁头 再现 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层，包括其中磁化方向基本上被钉扎在一个方向上的磁性材料膜；磁化自由层，包括其中磁化方向响应于外部磁场而改变的磁性材料膜；非磁性金属层，设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间；电阻增加层，包括绝缘部分和电连接电阻增加层的两个膜表面的导电部分，并且设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中；自旋过滤层，设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度，磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间；一对电极，该对电极之间设置磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层，电流在该对电极之间在基本垂直于磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层的膜表面的方向上流动。
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