[发明专利]掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200410067129.0 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1621576A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 姜本学;赵志伟;徐晓东;宋平新;徐军;王晓丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法，主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化钕、氧化铈为原料按照比例采用两步合成法制备原料，在98％氮气+2％氧气条件下用提拉法生长激光晶体，解决了现有的技术中因为掺Nd2O3而引入O2－所导致的晶格畸变问题，提高了晶体的抗辐照能力改善了Nd：GGG晶体的光谱和激光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕钆镓 石榴石 激光 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法，其特征在于包括以下步骤：①按下列摩尔配比称量下列各原料：原料 molGd2O3 3(1-x-y)Ga2O3 5.1Nd2O3 yCe2O3 6x其中x的取值范围：0.001mol≤X≤0.005mol. y的取值范围：0.005mol≤y≤0.1mol②将上述原料经充分混合后，用液压机压块，在1200℃下烧结12个小时；③装入提拉法生长单晶炉，抽真空，充入98％氮气+2％氧气，晶体生长的主要参数为：提拉速度＝2-5mm/h，旋转速度＝10-15rpm④晶体生长完毕，采用原位退火的方法缓慢降至室温，取出晶体。
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