[发明专利]非致冷红外焦平面器件用低应力复合介质膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种非致冷红外焦平面器件低应力复合介质膜的制备方法，该方法是在常规的单频率射频源的PECVD设备上通过改变工艺条件生长出折射率在1.48～1.59之间的压应力介质膜和折射率在1.65～2.0之间的张应力介质膜，并通过改变两种膜的厚度比例，使应力性质相反的张应力膜和压应力膜的应力相互抵消，从而得到应力较小的复合膜。本发明方法生长的这种复合介质膜的优点是：介质膜应力较低，在一定范围内应力性质和大小可以控制，介质膜性质稳定，工艺重复性好，制备设备要求相对较低。

主权项

1.一种非致冷红外焦平而器件用低应力复合介质膜的制备方法，其特征在于：折射率在1.48～1.59之间的压应力介质膜的淀积工艺条件为：反应温度280-320℃；腔体压力400-600mτ；射频功率20W(13.54MHz)；气体流量SiN 65-85 SCCM；NH3 20-45 SCCM；N2O 15-25SCCM；淀积速度13-14nm/min(13.5nm/min)；折射率在1.65～2.0之间的张应力介质膜的淀积工艺条件为：反应温度280-320℃；腔体压力750mτ；射频功率20W(13.54MHz)；气体流量SiN 150-190 SCCM；NH3 5-10SCCM；淀积速度5-11nm/min。二种介质膜的生长不存在先后，二种介质膜的厚度比为3∶2。