[发明专利]复合波激光光源及曝光装置有效
| 申请号： | 03147430.6 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1523450A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 冈崎洋二;永野和彦;蔵町照彦 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22;H01S5/00;G02B27/10;G02B3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及复合波激光光源及曝光装置。由包括准直透镜(11～17)及聚光透镜(20)的聚光光学系统将从GaN系列半导体激光器(LD1～7)射出的激光束(B1～7)聚光后耦合到多模光纤(30)而进行复合。作为半导体激光器，采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器(LD1～7)，将其隔着副基座(9)安装在Cu或Cu合金制散热基座(10)上，副基座(9)，采用热膨胀系数为3.5～6.0×10－6/℃的材料并按200～400μm的厚度形成，半导体激光器(LD1～7)，相对于该副基座，在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层，并以结朝下结构分割焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 激光 光源 曝光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种复合波激光光源，备有多个半导体激光器、1根多模光纤、将从上述多个半导体激光器分别射出的激光束聚光后耦合到上述多模光纤的聚光光学系统，该复合波激光光源的特征在于：作为上述半导体激光器，采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器，将该半导体激光器隔着副基座安装在Cu或Cu合金制散热基座上，上述副基座，采用热膨胀系数为3.5～6.0×10-6/℃的材料并按200～400μm的厚度形成，上述半导体激光器，相对于该副基座，在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层，并以结朝下结构分割焊接。
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