[发明专利]金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法

摘要

本发明是关于一种金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法，该金属硅化物包括：一第一金属硅化物层；一第二金属硅化物层；及一阻绝层，配置于第一金属硅化物层及第二金属硅化物层之间，阻绝层中包括一离子；第一金属硅化物层的晶粒分布较第二金属硅化物层的晶粒分布均匀。该金属硅化物的制造方法，首先提供一硅层，然后进行离子植入步骤以在硅层中掺入离子；接着在硅层上形成金属层；之后进行回火制程，使硅层与金属层反应生成金属硅化物。由于在进行回火制程前先进行离子植入步骤，可使金属硅化物阻值降低，而可增加金属硅化物接触可靠度。其可解决现有习知金属硅化物会有高阻值问题，另可解决现有闸极(或源极/汲极)阻值过大而导致组件可靠度不佳的问题。

主权项

1、一种金属硅化物的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：提供一硅层；进行一离子植入步骤，以在该硅层中掺入一离子，而形成一阻绝层；在该硅层上形成一金属层；以及进行一回火制程，以使该硅层与该金属层反应生成一金属硅化物。