[发明专利]处理室残留物的两步式等离子清洗

摘要

公开了一种采用多步无晶片自动清洗方法清洗处理室中的沉积残留物的方法。具体而言，该方法向处理室中引入具有至少约75％的分子式为X_yF_z的含氟化合物的第一气态成分，然后形成从处理室内表面上去除硅和硅基副产物的第一蚀刻等离子体。该方法然后向处理室中引入含有至少约50％的O₂的第二气态成分，并由第二气态成分形成等离子体，以提供从处理室内表面上去除碳和碳基副产物的第二蚀刻等离子体。本发明还提供了一种配置为执行所述的两步式清洗处理的系统。

主权项

1.一种处理室的清洗方法，包括：向处理室中引入第一气态成分，该第一气态成分包含至少约75％的化学式为XyFz的含氟化合物；由此第一气态成分形成等离子体，以提供第一蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除硅和硅基化合物；向处理室中引入第二气态成分，该第二气态成分包含至少约50％的O2；以及由此第二气态成分形成等离子体，以提供第二蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除碳和碳基化合物。