[发明专利]自旋开关和使用该自旋开关的磁存储元件无效
| 申请号： | 02803898.3 | 申请日： | 2002-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1488175A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 松川望;平本雅祥;小田川明弘;里见三男;杉田康成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/105;G01R33/09;G11B5/39;H01F10/193 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 开关 使用 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种自旋开关，包括：强磁性体，与所述强磁性体磁耦合的磁性半导体，与所述磁性半导体磁耦合的反强磁性体，和经绝缘体与所述磁性半导体连接的电极；其特征在于：通过所述电极电压的改变，所述磁性半导体在强磁性和顺磁性之间进行可逆地变化，在使所述磁性半导体向强磁性变化时，所述强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合向规定方向进行磁化。
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