[发明专利]高密度磁随机存取存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 02145701.8 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1433022A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朴祥珍;朴玩濬;金泰完;宋利宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高密度磁随机存取存储器及其操作方法。该高密度磁存储器包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。根据该高密度磁存储器，可以制造具有垂直晶体管的高密度磁存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02145701.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于测定心肌节段存活力的方法
- 下一篇：工厂操作装置和工厂操作方法
