[发明专利]以一次可编程熔断器/抗熔断器组合为基础的存储单元无效
| 申请号： | 02143769.6 | 申请日： | 2002-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1409399A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | T·C·安东尼 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥凌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括一熔断器(130，330)和一抗熔断器(180，380)串联的一次可编程存储单元(100，300)，该存储单元有两种状态一初始状态和一已写(已编程)状态，在初始状态中，单元的电阻是有限的，一般以抗熔断器的较高电阻为主，而在已写状态中，因为熔断器击穿而造成开路，故电阻是无限的，对该单元(100，300)的编程是通过跨越单元(100，300)加一个临界电压，产生一个临界电流，促使熔断器(130，330)断开。当加临界电压时，一般将使抗熔断器(180，380)击穿，从而在熔断器上产生一个高电流脉冲，用跨越存储单元加输入电压的方法检测此状态，如果存储器已经编程，则有可以测定数量的电流流动，否则将无电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可编程 熔断器 组合 基础 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(100，300)，其包括：一个在第一方向上伸展的上导体(160、360)；一个在第二方向上伸展的下导体(110、310)，从而在所述上导体(160、360)和下导体(110、310)之间限定一个重叠区(115、315)，所述下导体(110、310)同所述上导体(160、360)成电连接；一个在所述重叠区(115、315)内形成、并同所述上导体(160、360)和下导体(110、310)成电连接的熔断器(130、330)；以及一个同所述熔断器(130、330)电学串联形成的抗熔断器(180、380)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司，未经惠普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02143769.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
