[发明专利]形成凹槽栅极轮廓的方法

摘要

本发明提供一种形成凹槽栅极轮廓的方法，其是在一基底表面形成一垫氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后，进行一热氧化制造过程，消耗部份的多晶硅层，以在该多晶硅层周围区域形成一氧化薄层，其中在多晶硅层与垫氧化层接口间，会形成一凹陷的氧化区域；再进行一蚀刻步骤，去除多晶硅层上表面与两侧的氧化薄层及部份的垫氧化层，即可形成一具凹槽栅极轮廓的结构，继续后续的半导体制造过程以制作其它的半导体组件。利用本发明的方法可减少栅极与源极/漏极延伸区的寄生电容，提升组件的运作进度，藉此简化制造过程难度，增加对制造过程的控制性，使得当组件尺寸缩小的情况下，仍可保持组件的特性，提升产品的合格率。

主权项

1.一种形成凹槽栅极轮廓的方法，其特征是包括下列步骤：提供一基底，其上已形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一导电层；去除部份的该导电层以形成一栅极堆栈结构，其中该栅极堆栈结构包括与该垫氧化层相接触的第一边，与相对于该第一边的第二边；及对该栅极堆栈结构进行热氧化处理，使得该第一边的长度小于该第二边的长度。