[发明专利]磁阻式随机存取存储单元的编程方法与编程电路有效
| 申请号： | 02142894.8 | 申请日： | 2002-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1485853A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻式随机存取存储单元的编程方法，首先提供具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区的编程线，第二阻抗区的阻抗值小于第一阻抗区，且磁阻式随机存取存储单元与第一阻抗区的距离小于第二阻抗区。接着，提供编程电流流经编程线以产生磁场，并于第一阻抗区产生热量以加热磁阻式随机存取存储单元而降低磁阻式随机存取存储单元转换导通状态时所需的磁场。最后，利用磁场改变磁阻式随机存取存储单元的导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取 存储 单元 编程 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储单元的编程方法，其特征在于，上述磁阻式随机存取存储单元具有一固定磁轴层、一自由磁轴层、以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的一第一绝缘层，上述方法包括下列步骤：提供一编程线，具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区，其中上述第二阻抗区的阻抗值小于上述第一阻抗区，且上述磁阻式随机存取记，隐单元与上述第一阻抗区的距离小于上述第二阻抗区；提供一编程电流流经上述编程线以产生磁场，并于上述第一阻抗区产生热量以加热上述磁阻式随机存取存储单元而降低上述磁阻式随机有取记，隐单元转换导通状态时所需的磁场；以及利用上述磁场改变上述磁阻式随机存取存储单元的导通状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02142894.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器
- 下一篇：磁阻式随机存取存储器电路
