[发明专利]双层光刻过程有效
| 申请号： | 02123171.0 | 申请日： | 2002-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1420391A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 林智勇;陈俊丞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/09;G03F7/26;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双层光刻过程，是在基底的待图形化材料层上依序形成非感光的高分子层和上光阻层，对上光阻层进行曝光显影，以形成具有图形的上光阻层，并暴露部分非感光的光阻层。接着，利用具有图形的光阻层作为蚀刻掩模，并以含有O2/HBr气体为干蚀刻剂进行蚀刻，去除暴露的非感光性光阻层，而暴露出部分待图形化材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 光刻 过程 | ||
【主权项】：
1.一种双层光刻过程，包括：提供一基底，在该基底上形成一待图形化材料层；在该待图形化材料层上形成一非感光的高分子层；在该非感光的高分子层形成一上光阻层；进行一曝光步骤，以进行图形转移，使该上光阻层区分为一受光照射的部分和一未受光照射的部分；进行一显影步骤，去除该上光阻层的该未受光照射的部分，留下该上光阻层的该受光照射的部分；和利用该上光阻层的该受光照射的部分作为掩模，并以含有O2和HBr的气体为干蚀刻剂，去除部分该非感光的高分子层，暴露出该待图形化材料层。
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