[发明专利]用以抑制电感Q值下降的电感式结构有效
| 申请号： | 02108570.6 | 申请日： | 2002-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1449037A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡肇杰;王是琦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用以抑制电感Q值下降的电感式结构，至少包含：护层形成于一绝缘层之上，该绝缘层包含介层窗形成于其中。螺旋主体，位于护层之上且回填于介层窗中，覆盖层覆盖于螺旋主体之上，其中上述的介层窗口面积大于5微米乘以5微米，用以降低介层窗电阻，其中该螺旋主体的厚度约6至26微米之间，用以降低串连电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 抑制 电感 下降 结构 | ||
【主权项】：
1、一种电感结构，至少包含：护层，形成于一绝缘层之上，该绝缘层包含介层窗形成于其中；螺旋主体，位于该护层之上且回填于该介层窗中；及覆盖层，覆盖于该螺旋主体之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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