[发明专利]在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器

摘要

本发明的非易失性半导体存储器具备可对数据进行电改写的1个非易失性半导体存储单元；以及将数据写入存储单元的写入电路，对存储单元供给写入电压Vpgm和写入控制电压VBL来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第1写入状态，则改变写入控制电压VBL的值来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第2写入状态，则将写入控制电压VBL的值改变为Vdd来禁止对存储单元M的写入。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，包括：可对数据进行电改写的1个非易失性半导体存储单元；以及将数据写入上述存储单元的写入电路，对上述存储单元供给写入电压和写入控制电压来对上述存储单元进行写入，如果上述存储单元达到了第1写入状态，则改变上述写入控制电压的供给状态来对上述存储单元进行写入，如果上述存储单元达到了第2写入状态，则再改变上述写入控制电压的供给状态来禁止对上述存储单元的写入。