[发明专利]双极晶体管中自我对齐发射极的制法

摘要

在一揭示的实施例中，形成硅－锗基极，其包含杂质基极区、连接基极区、及本质基极区。可为氧化硅的蚀刻阻挡层沉积于硅－锗基极上。接着于硅－锗基极上的蚀刻阻挡层上形成多晶硅层。将多晶硅层图型化以形成暂时发射极。举例而言，在制造暂时发射极之后，布植掺杂连接基极区以减少连基极区的电阻。接着，于暂时发射极的侧边上制造连接间隔器。通过在暂时发射极上沉积相符的氧化硅层并接着回蚀相符层，以形成连接间隔器。间隔器下方的连接基极区的长度可由相符层的沉积厚度决定。在制造连接间隔器之后，布植掺杂杂质基极区。在通过开启光阻掩罩以图型化暂时发射极及连接间隔器之前，在杂质基极区、连接间隔器及暂时发射极之上沉积氧化硅保护层。然后，蚀刻移除暂时发射极及移除蚀刻阻挡层，而在连接间隔器之间形成穴。接着，在穴中形成最终发射极。举例而言，通过在穴中沉积多晶硅及在本质基极区内形成基极－发射极接面，以形成最终发射极。

主权项

1.一种双极晶体管的制造方法，包括下述步骤：形成基极，该基极包含杂质基极区、连接基极区、及本质基极区；于该基极上沉积蚀刻阻挡层；图型化该基极上的暂时材料层以在该蚀刻阻挡层上形成暂时发射极；分别在该暂时发射极的第一及第二侧上制造第一及第二连接间隔器；蚀刻移除该暂时发射极及该蚀刻阻挡层以致于在该第一与第二连接间隔器之间形成穴；在该本质基极区上的该穴中形成最终发射极。