[发明专利]强电介质存储装置

摘要

强电介质存储装置中，设有简单矩阵型存储单元阵列。设第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间所加电压的绝对值的最大值为Vs，则由第一电极(12)、第二电极(16)以及强电介质层(14)构成的强电介质电容器(20)的极化值(P)满足以下关系：当施加电压从+Vs设为－1/3Vs时，0.1P(+Vs)＜P(－1/3Vs)；当施加电压从－Vs设于+1/3Vs时，0.1P(－Vs)＞P(+1/3Vs)。

主权项

1.一种强电介质存储装置，设有存储单元成矩阵排列的存储阵列，其中包括：第一信号电极，在跟该第一信号电极交叉的方向上排列的第二信号电极，以及至少设于所述第一信号电极与所述第二信号电极的交叉区域的强电介质层；设所述第一信号电极与所述第二信号电极之间所加电压的绝对值的最大值为Vs，则由所述第一电极、所述第二电极以及所述强电介质层构成的强电介质电容器的极化值P，当施加电压从+Vs设为-1/3Vs时在0.1P(+Vs)＜P(-1/3Vs)的范围内，当施加电压从-Vs设为+1/3Vs时在0.1P(-Vs)＞P(+1/3Vs)的范围内。