[实用新型]用于蚀刻工艺过程的晶片保护装置无效
| 申请号： | 01222344.1 | 申请日： | 2001-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN2482219Y | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 宋美慧;戴仕冠 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于蚀刻工艺过程的晶片保护装置,它包括一晶片组;一保护片,置于该晶片组上,以于进行该蚀刻工艺过程时保护该晶片组内的芯片。可在进行该蚀刻工艺过程前,提供一保护片于一晶片组上,以在进行该蚀刻工艺过程中防止污染物的侵入,使晶片组上每一片晶片的闸氧化损耗均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 工艺 过程 晶片 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻工艺过程的晶片保护装置，其特征在于，它包括：一晶片组；一保护片，它置于该晶片组上，以在进行该蚀刻工艺过程中保护该晶片组内的芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01222344.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：能够直观对冷却壁检漏的高炉
- 下一篇：投币式公用充电机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
