[发明专利]陶瓷电容器及其制造方法无效
申请号: | 01137856.5 | 申请日: | 2001-11-06 |
公开(公告)号: | CN1353431A | 公开(公告)日: | 2002-06-12 |
发明(设计)人: | 西山俊樹;西野敬之;細川孝夫;米田康信 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李湘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种陶瓷电容器,包含陶瓷CaZrO3和CaTiO3固溶体并且具有满足下列条件的粉末X射线衍射图案(谷D的X射线强度)/(峰B的X射线强度)<0.2以及(谷E的X射线强度)/(峰B的X射线强度)<0.2。其中峰B为约32.0°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(121)平面X射线衍射图案的峰位,谷D为约31.8°方向上测得的X射线衍射图案的谷位,位于约31.6°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(200)平面X射线衍射图案的峰A与峰B之间,谷E为约32.2°方向上测得的X射线衍射图案的谷位,位于峰B与约32.4°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(002)平面X射线衍射图案的峰C之间。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种陶瓷电容器,其特征在于包含陶瓷CaZrO3和CaTiO3固溶体并且具有满足下列条件的粉末X射线衍射图案:(谷D的X射线强度)/(峰B的X射线强度)<0.2以及(谷E的X射线强度)/(峰B的X射线强度)<0.2其中峰B为约32.0°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(121)平面X射线衍射图案的峰位,谷D为约31.8°方向上测得的X射线衍射图案的谷位,位于约31.6°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(200)平面X射线衍射图案的峰A与峰B之间,谷E为约32.2°方向上测得的X射线衍射图案的谷位,位于峰B与约32.4°方向上测得的CaZrO3-CaTiO3固溶体的(002)平面X射线衍射图案的峰C之间。
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