[发明专利]硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件无效
| 申请号： | 01124925.0 | 申请日： | 2001-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1330392A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 近藤隆治;松田高一;东川诚 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/075;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=PO×PR/S/d确定的Q值控制为50或更高,其中,PO(W)为供给功率,S(cm2)为高频引入电极的面积,d(cm)为高频引入电极和基材之间的距离,PR(mTorr)为压力。由此,本发明提供了一种形成硅薄膜的方法,硅薄膜和具有优异的光电性能的光电元件,用该方法可获得工业化水平的薄膜形成速度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 光电 元件 | ||
【主权项】：
1、一种形成硅基薄膜的方法，它包括用含有卤化硅和氢气的源气进行高频等离子体CVD，其中由公式Q＝P0×PR/S/d确定的Q值为50或更高，其中，P0(W)为供给功率，S(cm2)为高频引入电极的面积，d(cm)为高频引入电极和基材之间的距离，PR(mTorr)为压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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