[发明专利]静电放电保护装置无效
| 申请号： | 01109529.6 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1378277A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李淑娟 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护装置,包括第一N－井区与第二N－井区、第一N+掺杂区、第一P+掺杂区、第二N+掺杂区、第三N+掺杂区、第四N+掺杂区、第二P+掺杂区及一栅极区。金属硅化物层沉积于第一N+掺杂区、第二N+掺杂区、第三N+掺杂区、第四N+掺杂区第一P+掺杂区与第二P+掺杂区上。第一N+掺杂区、第四N+掺杂区与第一P+掺杂区耦接到IC芯片的接合垫,第二N+掺杂区与栅极区耦接到接地端,第二P+掺杂区是耦接到接地端。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置，其耦接到一半导体IC芯片的一接合垫区，其特征在于：至少包括：一第一导电型半导体基底，其具有一表面；一第一导电型的第一井区，位于该半导体基底中；一第二导电型的第一掺杂区，其位于该半导体基底中，并且与该基底的表面相邻，该第一掺杂区与该第一井区彼此分离；一第二导电型的第二掺杂区与一第二导电型的第三掺杂区，其与该基底的表面相邻，其中该第二掺杂区与该第三掺杂区至少部分位于该第一井区中，以及该第二掺杂区更位于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间，并且与该第一掺杂区以及该第三掺杂区彼此分离；一栅极区，其位于该基底的表面以及该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，并且部分覆盖该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第二导电型的第二井区，其位于该半导体基底中；一第一导电型的第四掺杂区，其位于该第二井区中，并且相邻于该基底的表面；一第一导电型的第五掺杂区，其位于该半导体基底中，其中该栅极区与该第一掺杂区是一起耦接到一接地端，该第三掺杂区与该第四掺杂区是一起耦接到该半导体IC芯片的接合垫，该第五掺杂区是耦接到该接地端的。
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