[发明专利]补偿晶片参数的系统和方法有效
| 申请号： | 00104920.8 | 申请日： | 2000-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1149635C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | J·M·皮斯安尼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H03L7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;叶恺东 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种补偿IC参数的系统和方法。IC晶片的管芯与将管芯分成几种类型的补偿电路(100，200)相连接。例如，这些类型包括快速、标准和慢速。将管芯与预定标准相比较。慢速管芯引导信号通过相对较短的路径(212，214)，快速管芯引导信号通过相对较长的路径(212，218)，标准管芯引导信号通过补偿电路(100，200)中相对中等的路径(212，216)。通过将以往不满足预定标准(114)的IC所产生的频率调整为满足预定标准(114)的频率，生产出大量可用的IC。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 晶片 参数 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于调整集成电路所产生的频率的系统，包括：振荡器，反映集成电路的第一频率；速度比较器，与振荡器相连接，速度比较器的结构适于对第一频率按速度快慢进行类型分类；以及频率合成器，与速度比较器相连接，其中频率合成器产生具有第二频率的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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