[发明专利]在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备无效
| 申请号： | 00103786.2 | 申请日： | 2000-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1313412A | 公开（公告）日： | 2001-09-19 |
| 发明（设计）人： | 龚志荣 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种使用交替供气式外延生长技术(Epitaxialgrowthbyalternatesupplyofreactants)简称EGAS在单晶基板上形成第三族氮化物外延层的方法。它主要是将含第三族元素的有机金属先质及含氮气体轮流地提供给单晶基板表面上进行热分解,而使外延薄膜可生长在便宜的单晶基板上以形成多层,以降低制造成本,本发明可应用在发光二极管、激光二极以及高功率高温型晶体管等光电子元件的制作。本发明也提供利用该方法所制的多层及一种利用该方法而在单晶基板上进行外延的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶基板上 形成 第三 氮化物 外延 方法 制品 设备 | ||
【主权项】：
1．一种在单晶基板上形成第三族氮化物外延层的方法，其特征在于：主要步骤如下：a．清洗单晶基板并吹干；b．将单晶基板置于一外延装置中；c．以适当的温度加热单晶基板；d．以适当的流速，将含第三族元素的有机金属先质及含氮气体轮流提供给单晶基板表面上，发生两阶段反应以形成外延层。
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