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- [发明专利]一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法-CN01139288.6有效
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安正华;张苗;林成鲁;刘卫丽;沈勤我
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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2001-12-29
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2002-07-17
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H01L27/12
- 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe-OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%;后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV~1MeV,剂量为1016~1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300~600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800~1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。
- 一种类似绝缘层上硅结构材料制备方法
- [发明专利]用甲乙酮系列混合溶剂分离丁烷与丁烯的方法-CN00136535.5有效
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王文华;任万忠;许文友;陈小平;虞乐舜
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烟台大学
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2000-12-29
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2002-07-17
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C07C9/10
- 本方法采用甲乙酮和极性溶剂,如用氮-甲酰吗啉、吗啉、氮-甲酰吗啉与吗啉混合物、环丁砜、氮-甲基吡咯烷酮等的混合物作溶剂,萃取精馏分离丁烷与丁烯,溶剂对碳四溶解性好而且粘度小,塔内基本无双液相、无发泡现象,萃取精馏塔和解析塔都在加压下操作,塔顶温度45℃左右,塔釜温度低于170℃,溶剂比9~15,丁烯产品纯度>97%,必要时可以达到99%以上,丁烯收率95%~97%。
- 用甲乙酮系列混合溶剂分离丁烷丁烯方法
- [发明专利]1,4-丁二醇的制备方法-CN00132122.6有效
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王海京;张建国
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中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
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2000-12-15
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2002-07-17
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C07C31/20
- 本发明提供一种1,4-丁二醇的制备方法,包括1)将马来酸和/或琥珀酸单酯或双酯和氢气通入反应器中,与通式为CufZngCrhMjOx的金属复合氧化物催化剂接触,M选自Al、Mn、Ti、Zr、Ni、Ce、Ru,;2)将1)步加氢产物与aPd-bRe-cAg-dFe-eQ/C催化剂接触,Q选自K、Na、Li、Mg、Ca。本发明方法在较低的压力下具有高的1,4-丁二醇选择性,且连续运转周期长,第一段连续运转1500小时、第二段连续运转2000小时后催化剂活性和选择性与初始阶段基本相同。
- 丁二醇制备方法
- [发明专利]制造光纤预制棒的方法和制造光纤的方法-CN01144252.2有效
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石田祯则
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古河电气工业株式会社
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2001-12-14
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2002-07-17
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C03B37/012
- 本发明为一种制造光纤预制棒的方法和制造光纤的方法,制造出了在整个1.3至1.6μm的波长范围内具有所需传送特性的光纤。制造方法包括,多孔芯棒的制作步骤,用VAD法沉积外径为D的第一包层(3)以包围具有外径d的芯(2),从而制备出D/d≥4.0的多孔芯棒(1)。然后,使多孔芯棒(1)脱水,以将OH基团浓度减小到按重量比计0.8ppb或更小。使多孔芯棒(1)透明,以得到一个玻璃化的芯棒(4),再加热和拉伸。此后,用VAD法围绕着玻璃化的芯棒(4)沉积上有待脱水、透明和玻璃化的第二多孔包层(5)。如此制得的光纤预制棒经拉伸形成光纤,然后将其氘气气氛中放置一个预定时间。
- 制造光纤预制方法
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