专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法-CN01139288.6有效
  • 安正华;张苗;林成鲁;刘卫丽;沈勤我 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2001-12-29 - 2002-07-17 - H01L27/12
  • 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe-OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%;后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV~1MeV,剂量为1016~1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300~600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800~1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。
  • 一种类似绝缘层上硅结构材料制备方法
  • [发明专利]制造光纤预制棒的方法和制造光纤的方法-CN01144252.2有效
  • 石田祯则 - 古河电气工业株式会社
  • 2001-12-14 - 2002-07-17 - C03B37/012
  • 本发明为一种制造光纤预制棒的方法和制造光纤的方法,制造出了在整个1.3至1.6μm的波长范围内具有所需传送特性的光纤。制造方法包括,多孔芯棒的制作步骤,用VAD法沉积外径为D的第一包层(3)以包围具有外径d的芯(2),从而制备出D/d≥4.0的多孔芯棒(1)。然后,使多孔芯棒(1)脱水,以将OH基团浓度减小到按重量比计0.8ppb或更小。使多孔芯棒(1)透明,以得到一个玻璃化的芯棒(4),再加热和拉伸。此后,用VAD法围绕着玻璃化的芯棒(4)沉积上有待脱水、透明和玻璃化的第二多孔包层(5)。如此制得的光纤预制棒经拉伸形成光纤,然后将其氘气气氛中放置一个预定时间。
  • 制造光纤预制方法

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