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- [发明专利]电可擦除可编程的、非易失的存储单元-CN96194823.X无效
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G·滕佩尔;J·温纳尔
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西门子公司
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1996-07-08
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1998-07-15
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H01L29/788
- 电可擦除可编程的、非易失的存储单元是由一个通过源—沟道—漏结形成的MOS晶体管构成的,其中,在一个第一导电类型的半导体衬底(1)中,包含具有与第一导电类型相反极性的第二导电类型的一个漏区(2)和一个源区(3),该晶体管也包含一个处在悬浮电位的栅极(4),该栅极(4)通过隧道氧化物(5),对漏区电绝缘,并通过栅氧化物(5、10)对位于漏区(2)和源区(3)之间的沟道区(9)电绝缘,并经过源—沟道—漏方向至少在沟道区(9)的一部分和漏区(2)的一部分上伸展,以及包含一个控制极(7),该控制极(7)通过耦合氧化物(8)对栅极(4)电绝缘。
- 擦除可编程非易失存储单元
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