专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于语音识别的系统和方法-CN201780060607.0有效
  • Z.周;Z.冯 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2017-09-14 - 2023-09-05 - G10L15/32
  • 用于自动化语音识别的方法包括分别使用第一通用语音识别引擎和第二特定于域的语音识别引擎生成对应于音频输入数据的第一和第二多个候选语音识别结果。所述方法还包括:生成第三多个候选语音识别结果,其包括第一多个语音识别结果中的一个中包括的多个单词和第二多个语音识别结果中的另一个中包括的至少一个单词;使用成对排序器对第三多个候选语音识别结果进行排序,以标识排序最高的候选语音识别结果;以及使用排序最高的语音识别结果作为来自用户的输入来操作自动化系统。
  • 用于语音识别系统方法
  • [发明专利]衬底支撑件、半导体处理系统及制造衬底支撑件的方法-CN202211724949.7在审
  • Z.周;H.高 - ASM IP私人控股有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-07-04 - H01L21/687
  • 一种衬底支撑件包括加热器主体、加热器元件和加热器端子。加热器主体由陶瓷材料形成,并具有由厚度分开的上表面和下表面。加热器元件布置在上表面和下表面之间,并嵌入形成加热器主体的陶瓷材料内。加热器端子布置在上表面和下表面之间,电连接到加热器元件,并且具有电极表面和圆形表面。电极表面与下表面相对,以使电流流向加热器元件。圆形表面与上表面相对,并嵌入陶瓷材料内,以在加热位于加热器主体的上表面上的衬底期间限制陶瓷材料内的应力。还描述了半导体处理系统和制造用于半导体处理系统的衬底支撑件的方法。
  • 衬底支撑半导体处理系统制造方法
  • [发明专利]模块化多电平变换器谐波注入系统和方法-CN201580083466.5有效
  • T.萨迪莱克;张迪;Z.周;东栋 - 通用电气公司
  • 2015-10-02 - 2022-04-15 - H02J3/01
  • 用以改进模块化多电平变换器的操作的系统和方法。一些实施例包括具有第一有源电力连接模块的第一上臂和具有第二有源电力连接模块的第一下臂,第一上臂有助于产生处于基础频率的第一交流电力的第一部分,并且有助于在第一上臂中注入基础频率的第一偶次电流谐波,第一下臂有助于产生第一交流电的第二部分,其中第一交流电的第一部分和交流电的第二部分被组合以有助于在第一交流端子处输出第一交流电力,并且有助于在第一下臂中注入第一偶次电流谐波,其中第一偶次电流谐波的量值在第一交流端子处为零。
  • 模块化电平变换器谐波注入系统方法
  • [发明专利]用于编程非易失性存储器的智能验证-CN201680053927.9有效
  • M.邓加;G.J.赫明克;Z.周;东谷政昭 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2016-09-13 - 2021-05-25 - G11C16/34
  • 提供了在编程非易失性储存器时减少电流消耗的技术。使用存储器单元的子集来进行智能验证。通过将智能验证施加到存储器单元的仅一个子集来节省电流。智能验证可以用来表征编程速度。智能验证的结果可以用来确定稍后在编程过程中要被施加的虚拟编程脉冲的幅度。虚拟编程脉冲之后没有编程验证,从而减少了电流。如果虚拟编程脉冲将阈值电压推到足够高,则在稍后的编程中验证时,这些存储器单元将不传导电流。因此,在编程验证期间节省了电流。另外,在编程脉冲之前,接收虚拟脉冲的存储器单元的位线不需要预充电,从而可以节省更多的电流。
  • 用于编程非易失性存储器智能验证
  • [发明专利]用于数据刷新的部分块擦除-CN201580047787.X有效
  • G.梁;Z.周;M.希加什塔尼 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2015-10-07 - 2020-06-30 - G11C11/56
  • 描述了用于在执行数据刷新或开放块编程之前对存储器阵列内的字线子集执行部分块擦除操作的系统和方法。在一些情况下,存储在连接至具有高于错误阈值的失败位计数(例如,每页多于两个位错误或者每个字线多于三个位错误)的字线的存储器单元中的数据可以通过以下方式进行刷新:对所述存储器单元执行读取操作;生成所述存储器单元的经校正的数据;对包括所述字线的一个或多个字线执行部分块擦除操作,并且然后,将所述经校正的数据写入所述存储器单元。所述一个或多个字线可以包括所述失败位计数高于所述错误阈值的所述字线以及与所述字线相邻的相邻字线。
  • 用于数据刷新部分擦除

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