专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于形成低湿度介电膜的方法-CN201180018408.6无效
  • Z·Q·华;L·罗;M·A·埃尔南德斯;Z·曹;K·萨普瑞;A·巴特纳格尔 - 应用材料公司
  • 2011-03-07 - 2013-04-03 - H01L21/205
  • 本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法,所述方法包括下列步骤:将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中,并在所述化学气相沉积处理腔室中,于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤:在CVD腔室中,于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间,基板仍保持于CVD处理腔室中。
  • 用于形成湿度介电膜方法

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