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[发明专利]具有纳米颗粒沉积层的光电子器件-CN202180086165.3在审
发明人： M·海兰德;Z·王;Y-L·常;王琦 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分层半导体器件，该分层半导体器件包括设置在下面层上的至少一种颗粒结构，该至少一种颗粒结构包括与触点材料接触的颗粒材料，该触点材料选自：晶种材料、共沉积介电材料和/或至少一种图案化材料。本发明公开了一种用于在该器件的制造期间可控地选择在下面层上形成该至少一种颗粒结构的方法，该方法包括：沉积至少一个层，包括该下面层；以及将该下面层的表面暴露于颗粒材料的通量，使得该颗粒材料与该触点材料接触并且聚结以将该至少一种颗粒结构设置在该下面层上。
具有纳米颗粒沉积光电子器件

[发明专利]包括低折射率涂层和辐射改性层的器件-CN202180077289.5在审
发明人： M·海兰德;Z·王;Y-L·常;王琦;张英杰 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层，以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构的至少一个EM辐射改性层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。将该至少一个EM辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个EM辐射改性层的针对EM辐射的吸收光谱，该EM辐射在EM光谱的至少一部分中以相对于该至少一个EM辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个EM辐射改性层。包括第一至少一个(较)低折射率涂层的下部可设置在该第一层表面与该至少一个EM辐射改性层之间，并且包括第二至少一个(较)低折射率涂层的第二部分可设置在该至少一个EM辐射改性层上。
包括折射率涂层辐射改性器件

[发明专利]结合有IR信号透射区域的器件-CN202180074135.0在审
发明人：张英杰;M·海兰德;Z·王;Y-L·常;王琦 -专利权人： OTI照明公司;张英杰
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：至少一个EM辐射吸收层，该至少一个EM辐射吸收层沉积在第一层表面上并且包括至少一种颗粒结构的不连续层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。该至少一个EM辐射吸收层的该至少一种颗粒结构促进吸收其中的在可见光谱和UV光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射，同时基本上允许透射其中的在IR光谱和NIR光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射。
结合 ir 信号透射区域器件

[发明专利]包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件-CN202180067758.5在审
发明人： Z·王;王琦;Y-L·常;M·海兰德 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件促进其上EM辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。EM辐射吸收层被沉积在第一层表面上，该EM辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层，该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其上的EM辐射的吸收，并且可包括晶种，该沉积材料可倾向于围绕该晶种聚结，并且/或者包括与共沉积介电材料共沉积的该沉积材料。该EM辐射吸收层可设置在支撑介电层上和/或由覆盖介电层覆盖。公开了一种图案化涂层，其对于该沉积材料和/或晶种材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率小于对于该沉积材料和/或晶种材料在第二层表面上的沉积的该初始黏着概率。
包括图案 em 辐射吸收光电子器件

[发明专利]含有稀土化合物的成核抑制涂层以及结合所述成核抑制涂层的装置-CN202180061149.9在审
发明人： Y-L·常;Q·王;Z·王;M·海兰德 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：一种具有多个层的装置包括：成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层安置在所述装置的横向方面的第一部中的第一层表面上；以及包括沉积材料的沉积层，所述沉积层安置在第二层表面上，其中针对所述沉积层在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘附概率显著小于针对所述沉积层沉积到所述第二层表面上的初始粘附概率，使得所述NIC基本上缺乏所述沉积材料的封闭涂层，并且其中所述NIC包括含有稀土元素的化合物。所述沉积层可以包括所述横向方面的第二部中的所述第二层表面上的封闭涂层，和/或所述NIC的表面上的至少一种颗粒结构的不连续层。
含有稀土化合物成核抑制涂层以及结合装置

[发明专利]用于形成图案化涂层的化合物和包含该化合物的装置-CN202180055454.7在审
发明人： M·海兰德;S·N·格宁;Z·王;Q·王;Y-L·常 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含链部分的磷腈衍生物化合物，该链部分包含主链和附接的氟原子；以及包含这种化合物的光电子装置。该链部分包含中间部分、布置在其末端部处的与中间部分键合的末端部分，以及/或者包含附接到(包括通过该链部分的接头部分附接到)该链部分的磷腈单元的核心部分。该链部分附接到磷腈单元的磷原子并且/或者包含具有多个单元的环磷腈。该装置具有两个电极和有源区域，该有源区域包括半导电层，该有源区域在纵向上由这些电极界定并且在侧向上局限到由这些电极限定的不含该化合物的发射区域。装置图案化涂层在第一侧向部分中包含该化合物。该装置具有沉积材料的沉积层，但第一部分不含沉积材料的封闭涂层。
用于形成图案涂层化合物包含装置

[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置-CN201880042206.7有效
发明人： Y-L·常;Q·王;D·高;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K50/10 文献下载
摘要：光电子装置包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露，和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。
用于图案表面上覆层方法包括装置

[发明专利]包括低折射率层的光电子器件-CN202180062325.0在审
发明人： M·海兰德;Z·王;Y-L·常;张英杰;王琦 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-07-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有在由该器件的侧向轴限定的至少一个侧向朝向的界面部分和非界面部分中延伸的多个层。(较)低折射率层设置在至少该界面部分中的第一层表面上，该(较)低折射率层能够包括在某一波长具有第一折射率的低折射率材料。较高折射率层设置在该器件的暴露层表面上，以限定与该界面部分中的该(较)低折射率层的折射率界面，该较高折射率层能够包括在某一波长具有第二折射率的高折射率材料。该第二折射率超过该第一折射率。一定量的沉积材料能够设置在该非界面部分的第二层表面上。该较高折射率层能够覆盖该非界面部分中的该沉积材料。
包括折射率光电子器件

[发明专利]具有盲孔以用于适应与屏下部件交换的信号的显示面板-CN202180041306.X在审
发明人： Z·王;M·海兰德;Q·王;Y-L·常 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种分层面板在侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，通过第二部分接受一个或多个电磁信号。第一部分而非第二部分具有沉积材料的封闭涂层。第二部分可以包括成核抑制涂层(NIC)和/或低折射率涂层。第一部分中的NIC的沉积材料的初始粘附概率可以小于0.3，和/或沉积材料在底层表面上的初始粘附概率。较高折射率介质可以位于低折射率涂层上。第二部分可以包括由沉积材料和/或UVA吸收层组成的至少一个微粒结构。第一部分可以包括用于发射一个或多个电磁信号的一个或多个发射区域。面板可以包括基板和一个或多个半导体层。每个发射区域可以包括第一电极和第二电极，其中第一电极位于基板和一个或多个半导体层之间，以及一个或多个半导体层位于第一电极和第二电极之间。
具有用于适应部件交换信号显示面板

[发明专利]包含辅助电极和分区的光电子装置-CN202080062153.2在审
发明人： Z·王;Y-L·常;Q·王 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个层的光电子装置，所述光电子装置包括成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的侧面的第一部分中的第一层表面上。在所述第一部分中，所述装置包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导电层。所述第二电极在所述第一部分中位于所述NIC与所述半导电层之间。在第二部分中，第二层表面上安置有导电涂层。所述第一部分基本上无所述导电涂层。所述导电涂层电耦接到所述第二电极并电耦接到所述装置中的分区的遮蔽区域中的第三电极。
包含辅助电极分区光电子装置

[发明专利]包括光透射区域的光电装置-CN201980070487.1在审
发明人： Z·王;Y-L·常;Q·王;M·海兰德 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种电致发光装置，其包括：(1)第一区域、第二区域以及布置在所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域；(2)安置在所述第二区域中的导电涂层；以及(3)安置在所述第一区域中的成核抑制性涂层，所述成核抑制性涂层延伸以覆盖所述中间区域的至少一部分，其中所述中间区域中的所述成核抑制性涂层的厚度小于所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的厚度，并且其中所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的表面基本上不含所述导电涂层。
包括透射区域光电装置

[发明专利]形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置-CN201980022616.X在审
发明人： Y-L·常;Q·王;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王;B·H·莱萨尔 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C07C22/08 文献下载
摘要：光电装置包括衬底；设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的半导体层；设置在半导体层上的第二电极，第二电极具有第一部分和第二部分；设置在第二电极的第一部分上的成核抑制涂层；以及设置在第二电极的第二部分上的导电涂层，其中成核抑制涂层是式(I)化合物
形成成核抑制涂层材料并入装置

[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置-CN202010375262.1在审
发明人： Y-L·常;Q·王;M·赫兰德;J·邱;Z·王;T·雷夫 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的题目是用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置。光电子装置包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。
用于图案表面上覆层方法包括装置

[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置-CN201680075109.9有效
发明人： Y-L·常;Q·王;M·赫兰德;J·邱;Z·王;T·雷夫 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：光电子装置包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。
用于图案表面上覆层方法包括装置

[发明专利]包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法-CN201780084765.X在审
发明人： M·赫兰德;Z·王;Y-L·常;Q·王;J·邱 -专利权人： OTI照明公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种电致发光器件，包括：(1)第一发射区域和第二发射区域，第一发射区域配置为发射与第二发射区域不同波长的光；和(2)设置在第一发射区域和第二发射区域中的导电涂层，该导电涂层包括设置在第一发射区域中的第一部分和设置在第二发射区域中的第二部分，第一部分具有第一厚度和第二部分具有第二厚度，其中第一厚度不同于第二厚度。
发射区域导电涂层电致发光器件波长发射配置

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