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[发明专利]阀块装置和用于阀块装置的方法-CN201810668125.X有效
发明人： W.维尔纳;B.塞莱什;S.奥施曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： F15B11/08 文献下载
摘要：公开一种阀块装置，其构型为闭心式系统。所述阀块装置具有用于控制液压消耗器的至少一个主滑阀。所述主滑阀可以持续地打开和闭合地控制液压泵和消耗器之间的至少一个压力介质连接并且尤其是电控制的。具有截止阀的旁路‑流动路径在尤其可调节的液压泵和所述主滑阀之间分支出。所述截止阀可以持续地打开和闭合地控制液压泵与油箱之间的压力介质连接，其中，所述截止阀可以电的方式来控制。
装置用于方法

[发明专利]半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管-CN201410459581.5有效
发明人： R.埃斯特夫;J.康拉特;D.屈克;D.拉福雷;C.乌夫拉尔德;R.鲁普;A.弗克尔;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
半导体器件场效应晶体管垂直

[发明专利]制造半导体结构的方法和半导体器件-CN201610609447.8在审
发明人： P.伊西格勒;A.迈泽;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面（307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模（320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分（3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分（3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模（320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。
制造半导体结构方法半导体器件

[发明专利]MEMS器件-CN201410694629.0在审
发明人： S.科尔布;A.迈泽;T.施勒泽;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
mems 器件

[发明专利]用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法-CN201310447890.6在审
发明人： H-J.舒尔策;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法。一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片，以及当在垂直于第一表面的横截面中看时，在离第一表面第一距离处在半导体晶片中形成空腔。所述空腔被由晶片的半导体材料所形成的隔壁彼此横向隔开。所述空腔形成分离区。所述方法进一步包括在半导体晶片的第一表面上形成半导体层，以及通过对隔壁施加机械冲击来打破至少一些隔壁，以沿分离区分割半导体晶片。
用于制造半导体衬底方法集成中的半导体器件

[发明专利]具有不同器件外延层的集成电路技术-CN201110327171.1有效
发明人： C.卡多;T.迈尔;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。
具有不同器件外延集成电路技术

[发明专利]具有减小的短路电流的晶体管器件-CN201110231080.8有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;T.拉克;H-J.舒尔策;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管器件，其具有在半导体本体（100）中第一导通类型的源极区（11）和漂移区（13）；与第一导通类型互补的第二导通类型的布置在漂移区与源极区之间的本体区（12）；源极电极（21），其接触源极区（11）和本体区（12）；栅极电极（15），其被布置为与本体区（12）相邻并通过栅极介电层（16）以介电的方式相对于本体区（12）绝缘；二极管结构，其连接在漂移区（13）与源极电极（21）之间并且具有：第一发射极区（31），其被布置为与半导体本体（100）中的漂移区（13）邻接；第一导通类型的与第一发射极区邻接的第二发射极区（32），其连接到源极电极（32）上并且具有小于0.7的发射极效率γ。
具有减小短路电流晶体管器件