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[发明专利]照射系统、光刻设备以及照射方法-CN201080059496.X无效
发明人： W·德勃伊;E·鲁普斯特拉;尤韦·米莰;J·范斯库特;G·德维里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种照射系统，包括配置成调节入射到场多小面反射镜装置上的辐射束的光瞳反射镜和场多小面反射镜装置。场多小面反射镜装置包括多个反射型场小面，其能够在相对于入射束的第一取向和第二取向之间移动。在其第一取向的场小面有效地将入射辐射反射朝向相应的反射光瞳小面，以便形成从光瞳多小面反射镜装置反射的调节束的部分。在其第二取向的场小面有效地将入射辐射反射到光瞳多小面反射镜装置的设置为束流收集区域的相应区域。该区域布置用以阻止入射到该区域的辐射形成调节束的部分，并布置在光瞳多小面反射镜装置上的有效地限定从光瞳多小面反射镜装置反射的调节束的内部和外部区域的环形区域的界限之间。
照射系统光刻设备以及方法

[发明专利]投影系统和光刻设备-CN200980138207.2有效
发明人： E·鲁普斯特拉;W·德勃伊;H·布特勒;R·德珠;J·范斯库特;T·森吉尔斯;M·维基克曼斯;F·詹森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种投影系统(PS)，在一个实施例中，所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常，框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地，可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。
投影系统光刻设备

[发明专利]辐射系统、辐射收集器、辐射束调节系统、用于辐射系统的光谱纯度滤光片以及用于形成光谱纯度滤光片的方法-CN200980120016.3有效
发明人： V·巴尼内;W·德勃伊;J·鲁普斯特拉;A·范帝杰赛欧东克;G·斯温克尔斯;J·范斯库特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：一种辐射系统被配置以产生辐射束。所述辐射系统包括腔，所述腔包括：辐射源，被配置以产生辐射；辐射束发射孔阑；和辐射收集器，被配置以收集由所述源产生的辐射，且将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑。所述辐射收集器包括被配置以改善经由所述孔阑被发射的所述辐射的光谱纯度的光谱纯度滤光片。所述光谱纯度滤光片包括：基衬底；在所述基衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个交替层和在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷，所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射；其中，所述凹陷被配置成使得它们的横截面具有对称性的轮廓。
辐射系统收集调节用于光谱纯度滤光以及形成方法