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[发明专利]用于制造半导体结构元件的方法和设备-CN202180089272.1在审
发明人： T·沙里;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;F·沙茨;M·梅夫斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于制造半导体结构元件的一种设备和一种方法，其中，该方法包括步骤：将介电层布置(302)在所述半导体结构元件的第一电极与第二电极之间，其中，在所述介电层中存在第一缺陷类型的缺陷，确定(304)用于所述第一缺陷类型的缺陷在所述介电层中到额定位置中的运动的时间段，确定(306)用于所述缺陷在所述介电层中的运动的第一电压，在所述时间段中在所述第一电极与所述第二电极之间施加(308)所述第一电压。
用于制造半导体结构元件方法设备

[发明专利]用于监测半导体结构元件的设备和方法-CN202180089237.X在审
发明人： T·沙里;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;F·沙茨;M·梅夫斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：用于监测半导体结构元件(100)的设备和方法，其中，在所述半导体结构元件(100)的运行中检测流过所述半导体结构元件(100)的第一电极(102)和第二电极(104)的漏电流，其中，将所述漏电流在比较中与所述漏电流的第一极限值进行比较并且根据所述比较的结果确定输出，和/或，其中，确定出现所述漏电流的极值点、尤其是最大值的时间点并且根据所述时间点确定输出，其中，所述输出包括所述半导体结构元件(100)的状态，并且输出所述输出。
用于监测半导体结构元件设备方法

[发明专利]微机械设备-CN202180046535.0在审
发明人： T·沙里;J·托马斯科;K·德塞尔;F·沙茨 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：提出一种微机械设备(1a)、尤其是微镜设备，该微机械设备具有至少一个第一微机械部件(2a)和第二微机械部件(3a)。第一部件(2a)和第二部件(3a)直接地或者间接地相互连接。第一微机械部件(2a)具有第一子主体(4a)和至少一个第二子主体(5a)。第一子主体(4a)在第一平面(20a)中伸展，第二子主体(5a)在第二平面(21a)中伸展，所述第二平面与第一平面(20a)不同。第一平面(20a)和第二平面(21a)彼此平行地伸展，并且第一平面(20a)在第二平面(21a)上方伸展。在此，第二子主体(5a)布置在到第二微机械部件(3a)的过渡区域中。第二子主体(5a)在纵向方向上的第二延展尺度(26a)大于第一子主体(4a)在纵向方向上的第一延展尺度(25a)。
微机设备

[发明专利]用于制造微电子设备的方法-CN202180029849.X在审
发明人： T·沙里;J·托马斯科;R·施特劳布;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;F·沙茨;H·阿尔特曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：提出一种用于制造微电子设备(10)、尤其是MEMS芯片设备的方法，所述微电子设备具有至少一个载体衬底(12)，其中，在至少一个方法步骤中，将由金属导体制成的至少一个电动力学致动器(14)施加到所述载体衬底(12)上，所述金属导体至少大部分由铜构造，其中，在至少一个另外的方法步骤中，将至少一个压电致动器(16)施加到所述载体衬底(12)上。
用于制造微电子设备方法

[发明专利]用于使用半导体结构元件的方法和装置-CN202210002022.6在审
发明人： D·M·D·赖斯;F·沙茨;M·梅夫斯;T·沙里 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：一种用于使用半导体结构元件的装置和方法，在所述半导体结构元件中，介电层布置在所述半导体结构元件的第一电极和第二电极之间，其中，在所述介电层中存在着第一缺陷类型的缺陷，其中，所述方法包括以下的步骤：以在第一和第二电极之间具有第一极性的第一电压运行所述半导体结构元件；确定，是否满足用于从所述半导体结构元件的以所述第一电压的运行到所述半导体结构元件的以具有与所述第一极性相反的第二极性的第二电压的运行的转换的条件；如果不满足所述条件，则继续所述半导体结构元件的以所述第一电压的运行，并且否则结束所述半导体结构元件的以所述第一电压的运行，并且以在第一和第二电极之间的第二电压运行所述半导体结构元件。
用于使用半导体结构元件方法装置

[发明专利]微机械振动系统-CN202210005227.X在审
发明人： H·格鲁特杰克;F·沙茨;J·巴德尔;J·米哈列维奇;T·沙里 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械振动系统(6a)，该微机械振动系统包括带有至少一个微镜(4)的微机械振动体。该微机械振动系统(6a)附加地包括具有线圈体(30a、30b)和至少一个磁铁(50a、50b)的电磁驱动单元。所述线圈体(30a、30b)相对于所述微镜(4)基本上在侧面延伸。所述至少一个磁铁(50a、50b)在所述线圈体(30a、30b)下方延伸。本发明还涉及一种所述微机械振动系统(6a)的微投影设备(220)。
微机振动系统

[发明专利]微机械振动系统-CN202080073896.X在审
发明人： F·沙茨;H·格鲁茨埃克;R·施特劳布;T·沙里;E·M·坦盖普-恩桥克普;S·平特;J·巴德尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械振动系统(40a)，该微机械振动系统例如构造为微镜布置。微机械振动系统(40a)包括具有至少一个微镜(1a)的微机械振动体(10a)。在这种背景下，微机械振动体(10a)构造用于围绕振动轴(100)尤其以所述振动体(10a)的谐振频率振动。所述微机械振动体(10a)具有总质量m，所述总质量由质量元件mi(17a、17b)组成。所述质量元件(17a、17b)mi根据所述质量元件(17a、17b)mi与所述振动轴(100)的横向的、水平的间隔(29a、29b)分布。
微机振动系统

[发明专利]微机械微镜组件和相应的运行方法-CN201880067776.1有效
发明人： J·穆霍;H·格鲁茨埃克;T·沙里;P·考普曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械微镜组件和相应的运行方法。微机械微镜组件配备有：框架(1)，该框架具有凹槽(AS)；在框架(1)上在凹槽(AS)的区域中悬挂在第一平面(x，y)中的微镜装置(10)；悬挂在框架(1)上的、伸入到凹槽(AS)的区域中的第一枢转翼装置(2a)，该第一枢转翼装置通过第一弹簧装置(4a)耦合在微镜装置(10)上；悬挂在框架(1)上的、伸入到凹槽(AS)的区域中的第二枢转翼装置(3a)，该第二枢转翼装置通过第二弹簧装置(4b)耦合在微镜装置(10)上；用于使第一枢转翼装置(3a)沿着垂直于第一平面(x，y)布置的第一轴(z)偏移的第一驱动装置(81a)；和用于使第二枢转翼装置(3b)沿着第一轴(z)反相偏移的第二驱动装置(82a)。微镜装置(10)能够通过第一枢转翼装置(2a)和第二枢转翼装置(3a)的反相偏移围绕第二轴(x)从第一平面(x，y)中弹性地旋转出来。第一枢转翼装置(2a)和第二枢转翼装置(3a)构型为，使得它们在微镜装置(10)的第一侧上沿着基本上垂直于第二轴(x)布置的第三轴(y)的方向延伸超过第二轴(x)。
微机械微镜组件相应运行方法

[发明专利]具有介电层的半导体结构元件-CN202080049347.9在审
发明人： F·沙茨;T·沙里;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;D·潘特尔;J·托马斯科;M·梅夫斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：公开一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件具有至少一个介电层(230)和至少两个电极(201，202)，其中，在所述介电层中至少存在第一缺陷类型和与所述第一缺陷类型不同的第二缺陷类型。所述不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述电极之间所施加的运行电压和当前的主运行温度在特征时间τ1和τ2内在所述两个电极中的一个电极上积累，并且在所述电极上产生所配属的最大势垒高度变化δΦ1和δΦ2，其中，适用的是τ1τ2并且δΦ1δΦ2。优选的是在低于500℃的情况下溅射的、具有镍掺杂的PZT层，例如用于压电执行器。
具有介电层半导体结构元件

[发明专利]具有介电层的半导体结构元件-CN202080049174.0在审
发明人： T·沙里;J·托马斯科;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;D·潘特尔;F·沙茨;M·梅夫斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件包括至少一个介电层(230)以及至少一个第一电极(202)和第二电极(201)。附加地，在所述介电层(230)中存在至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)。所述至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述第一电极(202)与所述第二电极(201)之间施加的运行电压和当前的运行温度沿着分别具有平均有效间距a0(210)的局部缺陷状态(235)向着所述两个电极(202，210)中的一个电极运动。在此，对于所述平均有效间距a0(210)适用的是，所述平均有效间距大于3.2nm。
具有介电层半导体结构元件

[发明专利]微机械构件和用于微机械构件的制造方法-CN201980059926.9在审
发明人： T·沙里;R·伯森德费尔;K·德塞尔;J·米哈列维奇;J·穆霍;F·沙茨;J·里德里希-莫勒;A·埃贝施佩歇尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械构件，具有支架(10)、可调整部件(12)和第一曲折形弹簧(16a)和与第一曲折形弹簧(16a)关于第一对称平面(18)镜面对称地构造的第二曲折形弹簧(16b)，其中，构造有第一致动器装置(24a)和第二致动器装置(24b)，使得借助于所述第一致动器装置(24a)和所述第二致动器装置(24b)能够激励出所述第一曲折形弹簧(16a)和所述第二曲折形弹簧(16b)的周期性的并且关于所述第一对称平面(18)镜面对称的变形，其中，微机械构件也包括分别沿着旋转轴(32)延伸的第一扭转弹簧(26a)和第二扭转弹簧(26b)，其中，所述可调整部件(12)能够至少借助于所述第一曲折形弹簧(16a)和所述第二曲折形弹簧(16b)的周期性的和镜面对称的变形关于所述支架(10)围绕所述旋转轴(32)进行调整。
微机构件用于制造方法

[发明专利]电接触部和用于制造电接触部的方法-CN201980044251.0在审
发明人： T·沙里;J·赖因穆特;S·马约尼;M·库恩克 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。
接触用于制造方法

[发明专利]具有敷镀通孔的构件及制造方法-CN201310421157.7在审
发明人： J·莱茵穆特;H·韦伯;T·沙里;Y·贝格曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件，其中，敷镀通孔被空槽围绕，其中，半导体衬底在一个面上具有第一层，其中，第一层在该第一面上覆盖空槽，其中，半导体衬底在第二面上具有第二层，其中，第二层在该第二面上覆盖空槽，其特征在于，敷镀通孔被环形结构围绕，其中，环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步／同时地制成。
具有敷镀通孔构件制造方法

[发明专利]微机械元件和微机械元件的制造方法-CN201310296384.1在审
发明人： J·贡斯卡;J·弗莱;H·韦伯;T·沙里;T·迈尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械元件，尤其是一个微机械传感器，包括一个承载衬底和一个罩形衬底，以及涉及一种制造方法，其中，承载衬底和罩形衬底借助共晶的键合或金属焊接或玻璃焊接(例如，玻璃烧结)相互连接，其中，在承载衬底和罩形衬底的一个边缘区城中，通过连接区制造承载衬底和罩形衬底之间的连接，并且在边缘区内的边界区中设置一个截止槽或一个截止凸起，或既设置一个截止槽也设置一个截止凸起。
微机元件制造方法

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