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- [发明专利]生产和分类多晶硅的方法-CN201980095560.0在审
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T·施勒克;M·温泽伊斯
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瓦克化学股份公司
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2019-12-17
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2021-11-30
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C01B33/035
- 本发明提供了一种用于生产和分类多晶硅的方法，该方法包括以下步骤：‑通过将除氢气之外还含有硅烷和/或至少一种卤代硅烷的反应气体引入气相沉积反应器的反应空间中来生产多晶硅棒，其中所述反应空间含有至少一个经加热的细丝棒，在所述细细丝棒上沉积硅以形成所述多晶硅棒，‑从反应器中取出硅棒，‑任选地粉碎硅棒以获得硅块，‑生成硅棒或至少一个硅块的至少一个部分区域的至少一个二维和/或三维图像，并且针对所生成的图像选择至少一个分析区域，‑借助于图像处理方法生成每个分析区域的至少两个表面结构指数，每个表面结构指数是使用不同的图像处理方法生成的，‑组合表面结构指数以形成形态指数。根据形态指数对硅棒或硅块进行分类并将其送到不同的进一步加工步骤。
- 生产分类多晶方法
- [发明专利]通过FZ法提拉单晶的方法和设备-CN201880011591.9有效
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T·施勒克
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硅电子股份公司
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2018-02-13
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2021-11-02
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C30B13/20
- 本发明涉及通过FZ法提拉单晶的方法，其中借助于电磁熔化装置熔化多晶(100)，然后使其再结晶，其中在第一阶段中，借助于所述熔化装置熔化所述多晶(100)的下端，其中在第二阶段中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下区段和所述多晶(100)之间，形成直径(dD)小于所述晶种(140)的直径(dI)的细颈区段(130)，其中在第四阶段中，在所述细颈区段(130)和所述多晶(100)之间，形成所述单晶的锥形区段，其中，在达到所述第四阶段之前，确定所述多晶(100)的转换位置(h')，即所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的速率在量上将要降低的位置，并且其中在所述第四阶段中，当达到所述转换位置(h')时，所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的所述速率在量上降低，并且还涉及相应的设备。
- 通过fz法提拉单晶方法设备
- [发明专利]用FZ法拉制单晶的方法和设备-CN201880011873.9有效
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T·施勒克
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硅电子股份公司
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2018-01-31
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2021-07-27
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C30B13/20
- 本发明涉及一种通过FZ法拉制单晶的方法，其中多晶(100)通过电磁熔化装置熔化然后再结晶，其中在第一阶段中所述多晶(100)的下端通过熔化装置熔化，其中在第二阶段中，单晶晶种(140)附着到所述多晶(100)的下端，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下部和在多晶体(100)之间，形成直径小于所述晶种(140)的直径的细颈区域，其中在第三阶段之前，所述熔化装置(300)的功率根据在所述晶种(140)部分上液体材料与固体材料之间的下相界(PU)的位置至少暂时地动态调整，并且在第三阶段期间熔化装置的功率根据在多晶(100)部分上液体材料与固体材料之间的上相界(PO)的位置至少暂时地动态调整，以及涉及一种相应的设备。
- fz法拉制单方法设备
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