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[实用新型]用于评价牙膏和/或敏感性条状产品对牙齿敏感的治疗有效性的设备-CN201520022394.0有效
发明人：史运明;田垒;R·斯特兰德;D·J·小怀特;N·L·奥坎波楚;常金兰;贺艳焱;T·何 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： A61C19/00 文献下载
摘要：提供一种用于评价牙膏和/或敏感性条状产品对牙齿敏感的治疗有效性的设备40，包括：塑料齿形元件50，包括模拟牙釉质的外层60，具有外表面和相对的内表面，其中所述外表面包括能够汇入液体的凹面，所述内表面模拟牙髓，以及位于所述外层60和内层70之间或者位于内层70内的液体传感器80；和至少两个空穴90，模拟开放的牙本质小管，它们设置成穿过外层60到达内层70并且与液体传感器80流体连通；其中，所述液体传感器80被构造成在模拟牙膏和/或敏感性条状产品对牙齿敏感治疗有效性时能够感应流过所述多个空穴90的至少一个的液体。
用于评价牙膏敏感性条状产品牙齿敏感治疗有效性设备

[发明专利]薄膜晶体管组合物及其相关方法-CN201080060279.2无效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本公开涉及薄膜晶体管组合物。所述薄膜晶体管组合物具有半导体材料和基板。所述基板由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52:52-48，并且X:Y的比率为20-80:80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3:1的长宽比；在所有尺寸上小于所述膜的厚度。
薄膜晶体管组合及其相关方法

[发明专利]线材包裹组合物及其相关方法-CN201080060932.5无效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本公开涉及具有聚酰亚胺层和粘结层的线材包裹组合物。所述聚酰亚胺层由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比；在所有尺寸上小于所述膜的厚度。
线材包裹组合及其相关方法

[发明专利]热稳定的且尺寸稳定的聚酰亚胺薄膜及与其相关的方法-CN201080051264.X有效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本公开涉及聚酰亚胺薄膜。所述薄膜由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52:52-48，并且X:Y的比率为20-80:80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3:1的长宽比，在所有尺寸上小于所述薄膜的厚度。
稳定尺寸聚酰亚胺薄膜与其相关方法

[发明专利]表护层组合物及与其相关的方法-CN201080051783.6无效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本公开涉及包含聚酰亚胺薄膜和粘合剂层的表护层。所述聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比，在所有尺寸上小于所述薄膜的厚度。
表护层组合与其相关方法

[发明专利]用于半导体封装应用中的互连导电物薄膜及其相关方法-CN201080061046.4无效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了用于集成电路封装的互连导电物薄膜(30)。所述互连导电物薄膜包括承载多个导电区域的基板。所述基板由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比；在所有尺寸上小于所述薄膜的厚度。
用于半导体封装应用中的互连导电薄膜及其相关方法

[发明专利]包含聚酰亚胺膜和电极的组合件以及与它们相关的方法-CN201080051784.0无效
发明人： B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开的组合件包含电极和聚酰亚胺膜。所述聚酰亚胺膜包含亚微米级填料和聚酰亚胺。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比；在所有尺寸上小于所述膜的厚度。
包含聚酰亚胺电极组合以及它们相关方法

[发明专利]高性能热电材料和它们的制备方法-CN200580011387.X无效
发明人： T·何;J·J·克拉朱斯基;M·A·苏布拉马尼安 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2005-04-14 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明提供铟掺杂的Co₄Sb₁₂方钴矿组合物，其中在立方晶格结构中的某些Co可以被由Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt所组成的组的一种或多种成员来替换；在平面环上的某些Sb可以由Si、Ga、Ge和Sn所组成的组的一种或多种成员来替换；并且第二掺杂原子选自由Ca、Sc、Zn、Sr、Y、Pd、Ag、Cd、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu所组成的组中的成员。组合物可用作热电材料。在优选的实施方案，组合物的品质因数大于1.0。本发明也提供组合物的生产方法和通过使用该组合物的热电设备。
性能热电材料它们制备方法

[发明专利]在空闲状态与接入状态中至少一个状态下工作期间CDMA接收机中的干扰抑制-CN200480031706.9无效
发明人： T·何;J·沙哈;J·黄 -专利权人：诺基亚有限公司
申请日： 2004-08-30 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H04B1/707 文献下载
摘要：提供了用于减小在接收机处接收的一个本地信道信号中存在的干扰的系统和方法。该系统包括一个控制器和一个分支解调器组件。该控制器能够选择具有大于阈值的信号强度的至少一个干扰的导引信道信号，其中选择的干扰的导引信道信号包括一个干扰的导引信道信号组。该分支解调器组件然后能够根据在空闲状态和/或接入状态期间的干扰的导引信道信号组产生一个校正的本地信道信号。
空闲状态接入至少一个工作期间 cdma 接收机中的干扰抑制

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