专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单发射器线束系统-CN201510120720.6有效
  • S·R·卡尔森;D·C·森德尔斯 - 恩耐公司
  • 2015-02-05 - 2021-07-23 - G02B27/00
  • 一种线束系统包括单发射器光引擎,单发射器光引擎包括多个独立的间隔开的单发射器二极管激光器,每个发射器被配置为发射二极管激光光束。光束间距光学器件光耦合至单发射器光引擎,并配置为以密集的平行结构提供二极管激光光束的传播轴线。具有纵轴线的光导管设置为通过接收密集的组合光束并在光导管中反射光束而提供出射光束,该出射光束具有在一个或多个轴线上均匀的强度分布。相干性减小通过对密集的组合光束进行衍射或者通过在光导管中的传播来实现。
  • 发射器系统
  • [发明专利]通过线束改进的热处理-CN201410097021.X有效
  • S·R·卡尔森;K·W·肯尼迪;R·J·马丁森 - 恩耐公司
  • 2014-03-14 - 2019-06-28 - G03F7/20
  • 本发明涉及通过线束改进的热处理,其中多束、多波长处理系统包含被配置以分别向衬底提供束的两个或更多个激光器。所述激光器具有波长、脉冲持续时间、束面积、束强度、脉冲能量、偏振、重复率以及能够独立地选择的其他束属性。可以通过以第一波长的大面积束预加热,之后曝光至第二波长的聚焦束,来减小需要局部加热的处理过程中的衬底变形,从而将局部区域加热至期望的处理温度。对于一些处理,选择多个波长以在衬底中获得所期望的能量沉积。
  • 通过改进热处理
  • [发明专利]脉冲线束-CN201410095844.9有效
  • J·M·哈登;S·R·卡尔森;R·J·马丁森 - 恩耐公司
  • 2014-03-14 - 2018-01-09 - B23K26/00
  • 诸如对非晶硅进行退火,以形成多晶硅的处理使用曝光至由激光二极管或激光二极管阵列提供的脉冲激光束。基于来自相应的激光二极管的多个束的光束被成形且被引导到衬底。所述激光二极管的占空比被选择成小于约0.2,使得°s可以大于连续波运行中可用的。刚性衬底或柔性衬底上的非晶硅层被处理,以产生具有至少50cm2/Vs的迁移率的多晶硅层。
  • 脉冲

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