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[发明专利]具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构-CN201780019932.2有效
发明人： X·陈;V·伯纳帕里;S·萨胡;H·利姆;M·库普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种标准单元IC包括MOS器件的pMOS区(316)中的pMOS晶体管和该MOS器件的nMOS区(318)中的nMOS晶体管。该pMOS区和该nMOS区在第一单元边缘(304a)和第二单元边缘(304b)之间延伸。该标准单元IC进一步包括位于第一单元边缘与第二单元边缘之间的内部区域中的至少一个单扩散间断(312)，其跨该pMOS区和该nMOS区延伸以将该pMOS区分隔成pMOS子区以及将该nMOS区分隔成nMOS子区。该标准单元IC包括第一单元边缘(304a)处的第一双扩散间断部分(314')和第二单元边缘(304b)处的第二双扩散间断部分(314)。
单元边缘标准单元双扩散分隔子区金属氧化物半导体扩散单元器件隔离沟槽内部区域延伸架构

[发明专利]源极分开的单元-CN201680055213.1在审
发明人： S·萨胡;X·陈;V·伯纳帕里;H·B·利姆;M·库普塔;H·康;C·高;R·古塔尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种MOS器件包括第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一MOS晶体管源极、第一MOS晶体管漏极和第一MOS晶体管栅极。该MOS器件还包括第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二MOS晶体管源极、第二MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管栅极。第二MOS晶体管源极和第一MOS晶体管源极耦合到第一电压源。该MOS器件包括第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管具有第三MOS晶体管栅极，该第三MOS晶体管栅极在第一MOS晶体管源极与第三MOS晶体管源极之间，该第三MOS晶体管进一步具有第三MOS晶体管源极和第三MOS晶体管漏极，该第三MOS晶体管源极耦合到第一MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管漏极耦合到第二MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管栅极处于浮置。
分开单元