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[发明专利]混合型场效应晶体管-CN202280014647.2在审
发明人： D·A·登普西;A·C·里纳汉;S·P·威斯顿;D·J·罗汉 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种场效应晶体管(FET)结构。FET结构具有基板、有源区域、在有源区域的沟道以上设置的介电层和在介电层以上设置的栅极。有源区域包括源极、漏极以及设置在源极和漏极之间的沟道。有源区域由隔离沟道围绕，使得沟道的宽度边缘直接与隔离沟道相邻。电流路径通过沟道在源极和漏极之间流动。FET被配置为使得与穿过沟道中心的主电流路径相比，在沟道边缘附近运行的电流路径被减少或较弱。沟道、介电层或基板中的一个或多个可以被改性或适于提供减少的和主电流路径。在一个示例中，沟道的远离边缘的中心具有第一导电类型的第一掺杂浓度，并且沟道的沿着沟道边缘的侧面具有第一导电类型的第二掺杂浓度，其中第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。在另一个例子中，介电层在沟道的侧面以上更厚，并且在沟道中心以上更薄。在另一个例子中，基板在沟道侧面下方的区域具有比基板在沟道中心下方的区域更高的掺杂浓度。在一些示例中，FET结构在沟道和/或基板中具有不同厚度的介电层和不同掺杂浓度。
混合场效应晶体管

[发明专利]薄膜磁阻器件以及单片集成电路-CN201610995575.0有效
发明人： J·库比克;S·P·威斯顿;P·M·朵兰 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开用于集成电路的薄膜电阻设备，包括薄膜电阻设备的集成电路。如薄膜电阻传感器通常包括多个电阻元件。这些部件应当良好匹配，以便传感器提供准确的读数。当传感器结合在集成电路内时，电阻元件可以形成在形成其它部件的一部分的金属迹线上方或下方。结果，薄膜电阻部件经受不同水平的应力。本公开提供了一种被布置为减轻应力的影响的结构。
薄膜磁阻器件以及单片集成电路

[其他]电化学传感器-CN201690001239.3有效
发明人： P·M·迈克古尼斯;S·P·威斯顿;W·A·拉尼;T·G·奥德怀尔;J·J·欧唐纳;B·斯滕森;S·吉尔里;H·伯尼;R·J·施佩尔 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01N27/404 文献下载
摘要：本实用新型涉及电化学传感器。本实用新型的一个目的是提供电化学传感器。该电化学传感器限定用于与至少第一和第二电极电连通的电解质的区域，所述电化学传感器包括基底和附接帽，所述附接帽至少部分地被构造成为包括所述电解质的区域提供密封；其中所述基底是可使用集成电路制造技术加工的第一晶片；其中所述附接帽包括第二晶片。一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。
电化学传感器本实用新型附接电解质基底晶片集成电路制造技术第二电极区域提供电连通地被密封加工

[发明专利]半导体器件以及改善半导体器件的击穿电压的方法-CN201410328473.4在审
发明人： E·J·考尼;B·P·O·O·汉娜伊德;S·P·威斯顿;W·A·拉尼;D·P·迈克奥里菲 -专利权人：亚德诺半导体技术公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有与半导体层毗连的第一层，还包括至少一个场修正结构，所述场修正结构定位成使得，在使用时，所述场修正结构处的电位使得修正所述半导体层与所述第一层之间的界面区域处的E场向量。
半导体器件以及改善击穿电压方法

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