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[发明专利]包括可控硅整流器的静电放电保护器件-CN202310269660.9在审
发明人： P·马哈詹;阿贾;V·加内桑;R·贾因;S·米特拉 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及包括可控硅整流器的静电放电保护器件。用于包括可控硅整流器的静电放电器件的结构和形成用于包括可控硅整流器的静电放电器件的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱、位于第一阱中的第二阱和第三阱、以及位于第一阱中的第四阱。第一阱具有第一导电类型，并且第二阱和第三阱具有第一导电类型。第四阱在横向方向上定位在第二阱和第三阱之间，并且第四阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第二阱、第三阱和第四阱在竖直方向上定位在第一阱和半导体衬底的顶表面之间。
包括可控硅整流器静电放电保护器件

[发明专利]耐热芳族聚碳酸酯-聚酯组合物-CN202180091829.5在审
发明人： R·K·吉华;A·甘谷丽;B·阿尔-法胡德;S·米特拉 -专利权人： SABIC环球技术有限责任公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含聚碳酸酯和聚酯的耐热组合物，其中所述聚酯包含基本上不含间苯二甲酸部分的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)。该组合物具有如通过ISO‑306B120在50N的负载和120℃/hr的速度下测定的比其中聚(对苯二甲酸乙二醇酯)组分含有间苯二甲酸部分的其他方面相同的组合物的维卡软化点更高的维卡软化点。本发明进一步涉及一种制品，其包含此种组合物或由此种组合物组成。
耐热聚碳酸酯聚酯组合

[发明专利]抗MARCO抗体和其用途-CN202180088936.2在审
发明人： N·扬钱;M·斯特雷利;杨曦;L·梁;V·斯里拉姆;J·波拉克;V·尤里克;L·黑格布洛姆;K·莫吉卡;L·G·普雷斯塔;S·米特拉 -专利权人：开拓免疫医疗公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本文提供了抗MARCO抗体。还提供了产生和使用抗MARCO抗体的方法。
marco 抗体用途

[发明专利]低电容静电放电（ESD）器件-CN201711324726.0有效
发明人：李由;R·J·小戈捷;S·米特拉;M·于 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。该结构包括：第一结构，其包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，其包括在第二阱中的第四扩散区域，第四扩散区域电连接到第一结构以在衬底的体区域上形成可控硅整流器(SCR)。
电容静电放电 esd 器件

[发明专利]用于静电放电保护的对称双向硅控整流器-CN202211239239.5在审
发明人： S·P·卡拉卡;P·马哈詹;曾杰;A·阿杰伊;M·保罗;S·米特拉 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于静电放电保护的对称双向硅控整流器，揭示包括半导体衬底(例如，P‑衬底)及对称BDSCR的半导体结构。该BDSCR包括位于该衬底内的第一阱(例如，低掺杂深Nwell)，以及位于该第一阱内的对称侧段以及中段，该中段横向位于该侧段间。各侧段包括：第二及第三阱(例如，Pwell)，其中，与该第二阱相比，该第三阱较浅并具有较高的导电水平。各中段包括多个浮置阱，该多个浮置阱包括：两个第四阱(例如，Nwell)，具有与该第一阱相比较高的导电水平；以及第五阱(例如，另一个Pwell)，横向位于该第四阱间并与该第四阱相比较浅。通过在该中段中纳入该浮置阱，改进高电流容限。
用于静电放电保护对称双向整流器

[发明专利]在区块链上的民用项目和材料管理-CN201910486712.1有效
发明人： S·辛哈;P·萨卡;S·米特拉;D·达斯古普塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06Q40/04 文献下载
摘要：示例操作可以包括以下动作中的一个或多个动作：接收传感数据，识别存储在区块链上的智能合约中的一个或多个操作，基于所接收的传感数据执行一个或多个操作，创建具有所执行的一个或多个操作的记录以及所接收的传感数据的区块链交易，并将区块链交易提交给区块链。
区块民用项目材料管理

[发明专利]用于ESD保护的双向双极型器件-CN202210723713.5在审
发明人：曾杰;R·库马尔;S·米特拉 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及用于ESD保护的双向双极型器件。一种静电放电(ESD)保护器件，包括：衬底，其包括：第一、第二和第三掺杂区，第二掺杂区设置在第一和第三掺杂区之间，第二掺杂区具有第一导电类型和第一掺杂浓度，并且第一和第三掺杂区具有第二导电类型和第二掺杂浓度；第一和第二掺杂端子区，其分别设置在第一和第二掺杂区内；掺杂岛区，其设置在第二掺杂区内，第一和第二掺杂端子区以及掺杂岛区具有第二导电类型和第三掺杂浓度，第三掺杂浓度高于第一和第二掺杂浓度；以及导电端子，其分别耦接到掺杂端子区；以及绝缘层，其布置在导电端子之间的衬底上，并且至少覆盖第二掺杂区。
用于 esd 保护双向双极型器件

[发明专利]可活化细胞因子构建体和相关组合物以及方法-CN202180030934.8在审
发明人： S·米特拉;N·G·拉普亚德;H·H·阿西;M·M·帕德洪加特;D·L·丹尼尔;E·莱斯科兰;W·A·博格丹诺夫;蔡娜;王歆 -专利权人：西托姆克斯治疗公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C12N15/62 文献下载
摘要：本文提供了可活化细胞因子构建体，其包括：(a)第一单体构建体，其包含第一成熟细胞因子蛋白(CP1)、第一可裂解部分(CM1)和第一二聚化结构域(DD1)，其中所述CM1位于所述CP1与所述DD1之间；和(b)第二单体构建体，其包含第二成熟细胞因子蛋白(CP2)、第二可裂解部分(CM2)和第二二聚化结构域(DD2)，其中所述CM2位于所述CP2与所述DD2之间，其中：所述CM1和所述CM2充当蛋白酶的底物；所述DD1与所述DD2彼此结合；并且其中所述ACC的特征在于与所述CP1和/或所述CP2的至少一种活性的对照水平相比，所述CP1和/或所述CP2的所述至少一种活性降低。
活化细胞因子构建相关组合以及方法

[发明专利]利用协同过滤、强化学习和消极反馈的包容性集合来生成数字推荐-CN202210700134.9在审
发明人： S·米特拉;陈祥;V·阿齐兹 -专利权人：奥多比公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F16/9536 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及利用协同过滤、强化学习和消极反馈的包容性集合来生成数字推荐。本公开涉及利用协同过滤和具有动作方‑评论方框架的强化学习模型跨客户端设备提供数字内容项的系统、方法和非暂态计算机可读介质。特别地，在一个或多个实施例中，所公开的系统(例如，利用协同过滤模型)监测客户端设备与一个或多个数字内容项的交互以生成项嵌入。所公开的系统进一步利用强化学习模型，基于用户交互来生成推荐(例如，确定要提供给客户端设备的一个或多个附加数字内容项)。在一些实现中，所公开的系统利用强化学习模型来分析在生成推荐时观察到的每个消极和积极交互。此外，所公开的系统利用强化学习模型来分析在生成推荐时对数字内容项之间的关系进行编码的项嵌入。
利用协同过滤强化学习消极反馈包容性集合生成数字推荐

[发明专利]生产乙烯-丙烯-二烯三元共聚物(EPDM)组合物的方法-CN201880045807.3有效
发明人： S·南迪;R·卡托卡;A·甘谷利;D·巴纳尔吉;S·米特拉;S·D·帕斯克 -专利权人： SABIC环球技术有限责任公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C08J3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种在反应容器中生产乙烯‑丙烯‑二烯三元共聚物(EPDM)组合物的方法，其包括如下次序的以下步骤：(a)将一定量的包含乙烯共聚物或丙烯共聚物和第一过氧化物的第一组合物供给到所述反应容器；(b)将一定量的包含EPDM和第二过氧化物的第二组合物供给到所述反应容器；或(a)将一定量的包含EPDM和第二过氧化物的第二组合物供给到所述反应容器；(b)将一定量的包含乙烯共聚物或丙烯共聚物和第一过氧化物的第一组合物供给到所述反应容器；和(c)将所述反应容器的内容物在搅拌下暴露于100‑200℃的温度；其中所述乙烯共聚物是包含衍生自乙烯的聚合单元和衍生自包含3‑10个碳原子的单烯烃化合物的聚合单元的共聚物，和其中所述丙烯共聚物是包含衍生自丙烯的聚合单元和衍生自包含2个碳原子或4‑10个碳原子的单烯烃化合物的聚合单元的共聚物。这样的方法允许生产充油EPDM组合物，其具有一定的高门尼粘度，同时仍然使用获自具有相对中等门尼粘度的聚合过程的EPDM。
生产乙烯丙烯三元共聚物 epdm 组合方法

[发明专利]控制等离子体电弧炬以及相关系统和方法-CN202010058744.4有效
发明人： S·米特拉;S·M·利博尔德;J·埃姆斯;C·S·帕西奇;J·彼得斯;S·邓巴 -专利权人：海别得公司
申请日： 2016-10-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H05H1/36 文献下载
摘要：本申请涉及控制等离子体电弧炬以及相关系统和方法。在一些方面中，用于保持安装于等离子体电弧炬中的等离子体电弧电极消耗品的可使用寿命的方法可包含测量正提供到所述炬以产生所述炬和待处理的工件之间的等离子体电弧的电信号的特性；在所述炬的操作期间在一时间段内监测所述特性；将所述特性与阈值进行比较；和响应于确定测量的特性符合和/或超过所述阈值，起始电弧熄灭序列以保持所述电极的所述寿命。
控制等离子体电弧以及相关系统方法

[发明专利]基于鳍的双极型静电放电器件-CN202210167299.4在审
发明人： R·J·小戈捷;M·苗;A·F·卢瓦索;S·米特拉;李由;梁巍 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于鳍的双极型静电放电器件。本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及静电放电(ESD)器件及其制造方法。该结构(ESD器件)包括：双极型晶体管，其包括集电极区、发射极区和基极区；以及与集电极区相邻的横向镇流电阻，其包括半导体材料。
基于双极型静电放电器件

[发明专利]静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法-CN202111668574.2在审
发明人： M·苗;A·F·卢瓦索;S·米特拉;R·J·小高蒂埃;李由;梁巍 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法。可以提供一种ESD保护器件，包括：衬底，其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区。第一导电区可以包括彼此电耦接的第一端子区和第二端子区。第二导电区可以包括彼此电耦接的第三端子区和第四端子区。第二导电区还可以包括与第一端子区和第二端子区电耦接的第五端子区。第五端子区可以在横向方向上布置在第三端子区和第四端子区之间。第一导电区、第一端子区、第三端子区和第五端子区可以具有第一导电类型。第二导电区、第二端子区和第四端子区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型。
静电放电保护器件以及用于制造方法

[发明专利]控制电阻-电容电路中静电放电（ESD）事件的结构和方法-CN202111253299.8在审
发明人： A·F·卢瓦索;R·J·小戈捷;S·米特拉;李由;M·苗;梁巍 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03H1/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种控制电阻‑电容(RC)电路中的静电放电(ESD)事件的电路结构和方法。根据本公开的电路结构可以包括与RC电路并联耦接的触发晶体管，以及耦接到RC电路的一部分的栅极端子。与RC电路并联耦接的镜像晶体管传输小于通过触发晶体管的电流的电流。骤回器件具有耦接到镜像晶体管的源极或漏极的栅极端子，以及与RC电路并联耦接的阳极/阴极端子对。从镜像晶体管中的电流导出的骤回器件的栅极端子处的电流控制骤回器件中的阳极/阴极电流流动。
控制电阻电容电路静电放电 esd 事件结构方法

[发明专利]具有可控触发电压的超低泄漏静电放电器件-CN202111192202.7在审
发明人： A·纳特;Z·李;S·米特拉;A·卢瓦索;梁巍 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有可控触发电压的超低泄漏静电放电器件。本公开的实施例提供了一种静电放电(ESD)器件，包括：输入衬垫；具有触发电压Vt的欠重叠场效应晶体管(UL‑FET)，其包括：耦接至输入衬垫的欠重叠漏极区；耦接至地的源极区；以及耦接至输入衬垫的栅极结构；以及将UL‑FET的欠重叠漏极区与栅极结构分隔开欠重叠距离的阻挡层。
具有可控触发电压泄漏静电放电器件

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