专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制备用于二次电池的循环稳定的硅阳极的方法以及用于二次电池的硅阳极-CN202180013719.7在审
  • R·阿德隆;S·汉森;J·巴尔;J·卡斯滕森 - 克里斯蒂安-阿尔伯特基尔大学
  • 2021-02-03 - 2022-09-16 - C25F3/12
  • 本发明涉及制备用于二次电池的硅阳极的方法,所述方法的特征在于以下步骤:提供具有(100)取向的平面侧的单晶硅晶片;使所述晶片的背面与平坦的第一电极进行接触;将所述晶片的正面放入蚀刻浴中,所述蚀刻浴具有含氢氟酸的电解质和第二电极;通过设置预定的蚀刻电流密度来向所述硅晶片的正面中电化学蚀刻具有至少4微米孔深度的中孔,同时在所述中孔层中产生介于40%与80%之间的孔隙度;通过提高所述蚀刻电流密度在所述中孔层之下产生微孔的脱离层;将经蚀刻的晶片转移到电镀浴中;将单质金属电镀沉积到经蚀刻的中孔内直至小于2微米的预定孔深度;将至少若干微米厚的金属层沉积到所述晶片的经蚀刻的正面上,同时产生所述金属层与所述中孔内的单质金属的导电的且有机械粘附性的接触;将所述金属层和所述中孔的、在所述中孔内用单质金属部分填充的、(100)取向的单晶硅层抬离,同时机械地破坏所述微孔的脱离层。本发明还涉及用于二次电池的硅阳极。
  • 制备用于二次电池循环稳定阳极方法以及
  • [发明专利]高折射玻璃-CN202110871079.5在审
  • B·施罗德;U·沃尔夫;S·汉森 - 肖特股份有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-02-18 - C03C3/068
  • 本发明涉及具有高折射率、特别是在光谱的整个可见范围折射率高于2.0和/或折射率nd为至少2.02的玻璃。优选地,玻璃在可见光波长范围、特别是也在较短的可见光波长范围具有高透射率。本发明还涉及一种用于生产玻璃的方法以及玻璃的用途。根据本发明的玻璃尤其可以用于AR眼镜。其他用途是例如用作光学领域中的透镜或波导。
  • 折射玻璃

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