“S·德努尔梅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]器件和存储器-CN201922328536.7有效
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶;J·达米安;F·马里内特 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本公开涉及器件和存储器。一种器件包括第一开关、第一不可逆地可编程的存储器点、以及与第一不可逆地可编程的存储器点并联耦合的第二不可逆地可编程的存储器点。第一开关和第一与第二不可逆地可编程的存储器点的并联组合被串联耦合在第一节点和第二节点之间。
器件存储器

[实用新型]器件和存储器-CN201922328679.8有效
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本公开涉及器件和存储器。一种器件包括至少三个存储器单元。针对每个单元，存在第一掺杂的半导体区域和将该单元耦合至第一区域的开关。第一掺杂的半导体区将第一区域连接在一起。一种存储器可以包括多个器件。例如，单元可以被布置成矩阵，每个器件限定矩阵的一行。
器件存储器

[发明专利]电子芯片存储器-CN201911337268.3在审
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶;J·达米安;F·马里内特 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本公开涉及电子芯片存储器。一种器件包括第一开关、第一不可逆地可编程的存储器点、以及与第一不可逆地可编程的存储器点并联耦合的第二不可逆地可编程的存储器点。第一开关和第一与第二不可逆地可编程的存储器点的并联组合被串联耦合在第一节点和第二节点之间。
电子芯片存储器

[发明专利]电子芯片存储器-CN201911336484.6在审
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开涉及电子芯片存储器。一种器件包括至少三个存储器单元。针对每个单元，存在第一掺杂的半导体区域和将该单元耦合至第一区域的开关。第一掺杂的半导体区将第一区域连接在一起。一种存储器可以包括多个器件。例如，单元可以被布置成矩阵，每个器件限定矩阵的一行。
电子芯片存储器

[发明专利]用于制造包括MOS电容器的一次性可编程类型的存储器单元的方法以及对应的集成电路-CN201510831353.0有效
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造包括MOS电容器的一次性可编程类型的存储器单元的方法以及对应的集成电路。该集成电路包括具有位于埋设绝缘层(30)上方的半导体薄膜(20n,p)的、绝缘体上硅类型的衬底(10)，包括MOS电容器(C)的一次性可编程类型的至少一个存储器单元，所述MOS电容器具有：包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)侧接的栅极区域(G)的第一电极区域(E1)，位于所述栅极区域(G)和所述半导体薄膜(20n和20p)之间的电介质层(OX)，以及包括位于所述绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)旁边并至少部分地在电介质层(OX)之下延伸的所述半导体薄膜的硅化区域(ZSE2)的第二电极区域(E2)。
用于制造包括 mos 电容器一次性可编程类型存储器单元方法以及对应集成电路

[实用新型]可配置ROM-CN201621379350.4有效
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：可配置ROM包括电可编程反熔丝以及通过掩蔽编程的反熔丝。一种电可编程反熔丝包括电容器，电容器与存取晶体管串联连接，电容器包括驻留在绝缘材料层上的极板，电接触被形成在晶体管栅极上、在晶体管与电容器相反的主区域上、以及在电容器极板上。
配置 rom

[实用新型]集成电路-CN201520951130.3有效
发明人： S·德努尔梅;P·康德利耶 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本公开涉及一种集成电路。该集成电路包括具有位于埋设绝缘层(30)上方的半导体薄膜(20n,p)的、绝缘体上硅类型的衬底(10)，包括MOS电容器(C)的一次性可编程类型的至少一个存储器单元，所述MOS电容器具有：包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)侧接的栅极区域(G)的第一电极区域(E1)，位于所述栅极区域(G)和所述半导体薄膜(20n和20p)之间的电介质层(OX)，以及包括位于所述绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)旁边并至少部分地在电介质层(OX)之下延伸的所述半导体薄膜的硅化区域(ZSE2)的第二电极区域(E2)。
集成电路