“R·A·小布思”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]叉指状竖直平行电容器-CN201080036668.1有效
发明人： R·A·小布思;D·D·库尔博;E·E·亨;何忠祥 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种叉指状结构，其可以包括：至少一个第一金属线；至少一个第二金属线，其与至少一个第一金属线平行并且与其分离；以及第三金属线，其与至少一个第一金属线的端部接触，并且与至少一个第二金属线分离。至少一个第一金属线并不与任何金属过孔竖直接触，而至少一个第二金属线可以与至少一个金属过孔竖直接触。多层的叉指状结构可以竖直地堆叠。备选地，叉指状结构可以包括多个第一金属线、多个第二金属线，每个金属线并不与任何金属过孔垂直接触。可以在旋转或者不旋转的情况下，使叉指状结构的多个实例横向地复制和结合，和/或竖直堆叠以形成电容器。
叉指状竖直平行电容器

[发明专利]具有设置成增强电流积聚的窄宽度区域的电编程熔丝结构及其制造方法-CN200710086006.5有效
发明人： W·R·通蒂;R·A·小布思;J·A·曼德尔曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：提供了一种电编程熔丝结构及其制造方法，其中熔丝具有由长熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部的最大宽度大于熔丝元件的最大宽度，并且熔丝具有窄宽度区域，在其处第一端部和熔丝元件连接。窄宽度区域至少部分延伸进所述第一端部并包括第一端部的部分。窄区域中第一端部的宽度小于第一端部的最大宽度以增强那里的电流积聚。在另一方案中，熔丝元件包括限制宽度区域，其中熔丝元件宽度小于其最大宽度以增强那里的电流积聚，并且限制宽度区域的长度小于熔丝元件的总长度。
具有设置增强电流积聚宽度区域编程结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN200610108398.6有效
发明人： J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂;R·A·小布思 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：通过镶嵌方法在公共衬底上形成具有FinFET＝s和平面器件如MOSFET＝s的半导体结构的方法。利用镶嵌工艺在衬底上形成FinFET的半导体鳍片，其中鳍片生长被中断，以注入离子，随后所述注入的离子转变成将鳍片与衬底电隔离的区域。因为用于形成镶嵌－主体鳍片的掩模也用作注入离子的注入掩模，所以隔离区与鳍片自对准。在形成FinFET以及更具体地形成FinFET的栅极的处理过程中，所述鳍片可以由构图层支撑。通过使FinFET周围的衬底凹入和用介质材料至少部分地填充凹槽的自对准工艺也可以提供围绕FinFET的电隔离。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成散热片的组合式散热去耦电容器阵列和电源分布插入组件-CN200510128369.1无效
发明人： R·A·小布思;M·S·多伊尔;D·A·吉利兰;B·E·格雷格;L·R·兰丁;T·W·良;A·K·帕特尔;D·J·沃思 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种组合式散热去耦电容器阵列，包括多个组件，每个限定平行分布的去耦板，以及每个组件形成一散热片。每个组件包括用于提供与相关器件低电感连接的多个分离接触。电源分布插入组件连接到组合式去耦合电容器的散热表面。插入组件用于实现电源传输同时不使用昂贵的球栅阵列(BGA)连接和印刷电路板(PCB)层。
形成散热片组合式散热电容器阵列电源分布插入组件

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top