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[发明专利]包含具超晶格的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法-CN201780059910.9有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。该超晶格可以包含堆叠层组，每个层组都包含用于限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层，以及被约束于相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述至少一个DBRTD还可以包含在第一势垒层上的本征半导体层、在本征半导体层上的第二势垒层，以及在第二超晶格层上的第二掺杂半导体层。
包含晶格共振二极管结构半导体器件相关方法

[发明专利]包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法-CN201780059913.2有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。
包含具有晶格电子平均自由程控制共振二极管结构半导体器件相关方法

[发明专利]具有超晶格和在不同深度处的穿通停止(PTS)层的半导体装置和相关方法-CN201680036091.1有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置可以包括半导体衬底和具有第一操作电压的第一晶体管。每个第一晶体管可以包括半导体衬底中的第一穿通停止(PTS)层和第一沟道，并且第一PTS层可以在第一沟道下方的第一深度处。该半导体装置可以进一步包括具有高于第一操作电压的第二操作电压的第二晶体管。每个第二晶体管可以包括半导体衬底中的第二PTS层和第二沟道，并且第二PTS层在第二沟道下方的大于第一深度的第二深度处。此外，第一沟道可以包括第一超晶格并且第二沟道可以包括第二超晶格。
具有晶格不同深度停止 pts 半导体装置相关方法

[发明专利]具有提供晕圈注入峰值限制的超晶格层的半导体装置和相关方法-CN201680036083.7有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置可以包括半导体衬底和在半导体衬底上的多个场效应晶体管(FET)。每个FET可以包括：栅极；在栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区；垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在源极区和漏极区之间的上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层；以及晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度。
具有提供注入峰值限制晶格半导体装置相关方法

[发明专利]制备包括在其中扩散有氮的超晶格的半导体器件的方法-CN201980079023.7在审
发明人： K·D·威克斯;N·W·科迪;M·海塔;R·J·梅尔斯;R·J·斯蒂芬森;L·N·胡特尔三世 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法可包括形成超晶格层和相邻的半导体层。该超晶格层可包括多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。该方法还可包括将氮扩散至该超晶格层中。
制备包括其中扩散晶格半导体器件方法

[发明专利]包括超晶格和替换金属栅极结构的半导体装置和相关方法-CN201580071385.3有效
发明人： R·J·梅尔斯;刘金储宰;武内英树 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置可以包括：在其中具有沟道凹陷部的衬底，在所述衬底中的多个间隔开的浅沟槽隔离(STI)区，以及在所述衬底中间隔开并在一对STI区之间的源极和漏极区。超晶格沟道在所述衬底的沟道凹陷部中并在源极和漏极区之间延伸，所述超晶格沟道包括多个堆叠的层组，并且所述超晶格沟道的每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。替换栅极可以在超晶格沟道之上。
包括晶格替换金属栅极结构半导体装置相关方法

[发明专利]包括具有超晶格的增强接触结构的半导体器件和相关方法-CN201980021335.2在审
发明人： R·J·史蒂芬森;R·伯顿;D·康奈利;N·W·寇迪;R·J·梅尔斯;D·筹托夫;E·特洛特曼 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：半导体器件(30)可包括其中具有沟槽(32)的半导体衬底(31)，和至少部分覆盖沟槽的底部和侧壁部分的超晶格衬层(25)。超晶格衬层可包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定了基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可包括在超晶格衬层上并且具有被超晶格衬层约束在其中的掺杂剂(34)的半导体盖层(33)，和在沟槽内的传导体(36、37)。
包括具有晶格增强接触结构半导体器件相关方法

[发明专利]包括超晶格耗尽层堆叠的半导体装置和相关方法-CN201480071521.4有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内秀木;E·特洛特曼 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：衬底上交替的超晶格层和体半导体层的堆叠，每个超晶格层包括多个堆叠的层组，所述超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述半导体装置可以进一步包括在所述交替的超晶格层和体半导体层的堆叠的上部体半导体层中的间隔开的源极区和漏极区，以及在间隔开的源极区和漏极区之间，在所述上部体半导体层上的栅极，和延伸穿过体层和超晶格层并进入衬底的STI区，并且可以用交替的掺杂剂导电类型对体层进行掺杂。
包括晶格耗尽堆叠半导体装置相关方法

[发明专利]包括超晶格穿通停止层堆叠的垂直半导体装置和相关方法-CN201480071523.3有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内秀木;E·特洛特曼 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体装置可以包括衬底和在所述衬底上间隔开的多个鳍片。所述鳍片中的每一个可以包括从所述衬底垂直向上延伸的下部半导体鳍片部分，以及在下部鳍片部分上的至少一个超晶格穿通层。所述超晶格穿通层可以包括多个堆叠的层组，所述超晶格穿通层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。每个鳍片还可以包括在所述至少一个超晶格穿通层上的上部半导体鳍片部分，所述上部半导体鳍片部分从所述至少一个超晶格穿通层垂直向上延伸。所述半导体装置还可以包括在所述鳍片的相对端部处的源极区和漏极区以及覆盖所述鳍片的栅极。
包括晶格停止堆叠垂直半导体装置相关方法

[发明专利]包括与超晶格STI界面相邻的非单晶纵梁的半导体器件和方法-CN201880060161.6在审
发明人： R·J·史蒂芬森;S·A·柯瑞普斯;R·J·梅尔斯;K·V·拉奥 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件可以包括半导体基板以及其中的第一和第二间隔开的浅沟槽隔离(STI)区域，以及在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸的超晶格。超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括第一半导体纵梁和在超晶格上方的栅极，该第一半导体纵梁在超晶格的第一端与第一STI区域之间的界面处包括非单晶主体。
包括晶格 sti 界面相邻非单晶纵梁半导体器件方法

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