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[发明专利]反向导通IGBT-CN201810934187.0在审
发明人： H-G.埃克尔;Q.T.特兰 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及反向导通IGBT。一种功率半导体器件，其包括半导体主体、被布置在半导体主体的前侧的第一负载端子结构、以及被布置在半导体主体的后侧的第二负载端子结构，并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元来控制在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间的负载电流。所述晶体管单元至少部分地被包括在半导体主体中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构并且在另一侧被电气连接到半导体主体的漂移区，该漂移区具有第一导电类型。所述半导体主体还包括：具有第一导电类型的晶体管短区，其中在该晶体管短区和第一负载端子结构之间的过渡形成肖特基接触；以及分离区，其将该晶体管短区与漂移区分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。
半导体主体负载端子第一导电类型漂移区晶体管晶体管单元电气连接反向导通功率半导体器件肖特基接触导电类型负载电流分离区地被配置

[发明专利]消隐基元屏蔽电路-CN201010593983.6有效
发明人： Q.T.特兰 -专利权人：特克特朗尼克公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G01R1/00 文献下载
摘要：本发明涉及消隐基元屏蔽电路。一种消隐基元屏蔽电路具有接收包含消隐基元的数据的检测和处理电路。该检测和处理电路在检测到消隐基元时生成动态消隐信号。接收的数据被延迟且被提供到模式检测器，其成提供到存储器的同步信号和提供到检测和处理电路以及比较器的相位同步信号。该比较器接收来自存储器的参考数据、经延迟的数据以及动态消隐信号。该比较器将参考数据与经延迟的数据进行比较且在不存在来自检测和处理电路的动态消隐信号时从失配的参考数据位和经延迟的数据位生成位误差输出，且在消隐基元处于延迟数据中且存在动态消隐信号时抑制位误差输出的生成。
消隐基元屏蔽电路