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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]神经血管分流器和递送系统-CN202380009035.9在审
发明人： V·巴拉佳斯;Q·特兰;Y·图;N·巴格纳尔 -专利权人：艾露姆技术股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61F2/966 文献下载
摘要：本文公开了神经血管分流器和递送系统，以及使用它们的方法。该系统可以包括引入件护套、导管、可以包含在引入件护套或导管中的可展开的分流器，可以包括芯线、以及联接到该芯线并接合该分流器的一个或若干个展开特征。这些展开特征可以包括下列中的一个或多个：推动件、一个或多个摩擦凸块、一个或多个展开线圈、爪状机构、自扩张元件、支承线圈、末端线圈和/或无创伤末端。该一个或多个展开特征可以是不透射线的。
神经血管分流器递送系统

[发明专利]基于自然语言命令的场景图修改-CN202110955848.X在审
发明人： Q·特兰;林哲;何玄黎;张惟德;T·布伊;F·德恩昂克特 -专利权人：奥多比公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及基于自然语言命令的场景图修改。描述了用于自然语言处理的系统和方法。实施例被配置为：接收搜索查询的结构化表示，其中结构化表示包括多个节点和连接节点中的两个节点的至少一个边；接收针对搜索查询的修改表达式，其中修改表达式包括自然语言表达式；使用被配置为组合结构化表示特征和自然语言表达式特征的神经网络，基于结构化表示和修改表达式来生成修改后的结构化表示；以及基于修改后的结构化表示来执行搜索。
基于自然语言命令场景修改

[发明专利]集成的血栓切除和过滤装置及其使用方法-CN201980045382.0在审
发明人： Q·特兰;N·巴格纳尔;V·巴拉佳斯 -专利权人：艾露姆技术股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： A61F2/01 文献下载
摘要：本发明总体上涉及用于从脉管系统捕获、过滤或取回阻塞物或微粒的方法和系统。它可以包括集成的血栓切除和过滤装置，用以从神经血管移除凝块或异物和/或提供远侧栓子保护。在一方面中，装置包括外部递送轴和可在塌缩构造和扩张构造之间移动的可扩张篮。篮构造为在递送期间塌缩并在接合和取回阻塞物期间扩张。篮的近端构造为居中且枢转地联接至外部递送轴。近端和远端可相对于彼此移动，使得篮的近侧部分可朝向篮的远侧部分翻转，以在扩张构造中形成朝向近侧定向的腔体，用以接合和取回阻塞物。
集成血栓切除过滤装置及其使用方法

[发明专利]神经血管远侧进入支承导管、抽吸导管或设备轴-CN201980048307.X在审
发明人： Q·特兰;N·巴格纳尔;V·巴拉佳斯 -专利权人：艾露姆技术股份有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：提供一种导管或轴，诸如远侧进入支承导管或抽吸导管，其构造成至少部分地在患者体内前进。该导管或轴可以包括具有近端和远端的挠性且中空的轴。该挠性且中空的轴可以包括具有多个带槽开口的带槽部分，该带槽部分包括第一部段和第二部段，第一部段具有带槽开口的第一图案，第二部段相对于第一部段朝近侧延伸，具有不同于第一图案的带槽开口第二图案。
神经血管进入支承导管抽吸设备

[发明专利]脉管重塑装置-CN201180007332.7无效
发明人： A·黄;M·莫莱;V·舒曼;S·什里瓦斯塔瓦;E·斯利;Q·特兰 -专利权人：泰科保健集团有限合伙公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： A61F2/06 文献下载
摘要：一种包括导管和装置的腔内设备能够定位在具有动脉瘤的分叉部的输入管和输出管的接合部处。在将装置定位成使装置基本符合接合部的形状之后，装置作为托架以抑制物体突出到动脉瘤之外，并且装置允许灌流到输出管。定位装置可以包括配置和任选地从导管释放。在定位装置之前或之后，栓塞材料可以插入动脉瘤中。装置可以具有近端、远端、和多根丝，所述丝在近端和远端之间延伸并且联接到近端和远端处。装置可以包括使装置再成形的中央丝。装置的远端可以包括覆盖物。装置可以成足球状、南瓜状、或橡子状。
脉管重塑装置

[发明专利]硅晶片的受控边缘厚度-CN200910006611.6无效
发明人： K·利特;Q·特兰 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种外延硅晶片，其邻近边缘的区域中的厚度大于或小于邻近中心处的厚度。可以通过一种方法来制造该晶片，在该方法中，在沉积外延层期间调节一个或多个工艺参数以控制边缘厚度。
晶片受控边缘厚度

[发明专利]硅晶片的受控边缘电阻率-CN200910004027.7无效
发明人： K·利特;Q·特兰 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：生产一种外延硅晶片，其邻近边缘的区域中的电阻率大于或小于邻近中心处的电阻率。可以通过如下方法制造该晶片，其中在沉积外延层期间调节一个或多个工艺参数以控制边缘电阻率。这种工艺参数可以包括在晶片正表面上使用不均匀的温度和/或工艺反应气体流量。
晶片受控边缘电阻率

[发明专利]频率稳定克服温度漂移的薄膜体声谐振器装置-CN200580021290.7有效
发明人： V·劳;Q·马;Q·特兰;D·辛;L·－P·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：薄膜体声谐振器(FBAR)包括夹在顶部电极和底部电极之间的压电薄膜。提供温度传感器以检测温度，从而为FBAR确定温度导致的频率漂移。操作上连接到温度传感器的电压控制器提供直流(DC)偏压给FBAR，以引入相反的电压导致的频率漂移，从而补偿温度导致的频率漂移。
频率稳定克服温度漂移薄膜谐振器装置

[发明专利]穿过晶片的通路以及用于与其耦合的表面金属化-CN200610100392.4有效
发明人： J·海克;Q·马;Q·特兰;T·－K·仇;S·阿尔特舒勒;B·威恩菲尔德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造穿过晶片的通路的装置和方法。将第一掩模形成于第一半导体管芯的第一侧上以限定第一通路区域。蚀刻一深凹部穿过第一通路区域中的第一半导体管芯并在包含该深凹部的第一侧上形成覆盖金属层。从第一半导体管芯的第一侧的外表面上去除覆盖金属层，同时保留深凹部内的一部分覆盖金属层。
穿过晶片通路以及用于与其耦合表面金属化

[发明专利]有超低压能力的拉链式开关-CN200610100393.9有效
发明人： J·海克;Q·马;Q·特兰;T·－K·仇;H·巴尔;J·梅尔基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：一种电子机械开关包括激励电极、电枢、悬臂电极、触点和信号线。激励电极和电枢被安装到衬底。悬臂电极由电枢支撑在激励电极上。触点被安装到悬臂电极。信号线被定位以当在激励电极和悬臂电极之间施加激励电压时与触点形成闭路，以使悬臂电极以类拉链运动从悬臂电极的末梢端开始向悬臂电极弯曲。
低压能力链式开关

[发明专利]边缘电镀的传输线-CN200380106158.7有效
发明人： Q·马;J·海登三世;T·－K·A·仇;Q·特兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：共面波导具有由溅射材料(例如金)形成的中心信号线和两侧的一对地线，这种波导在高频时会受所谓的边缘效应的影响，导致电流集中并沿线的边缘流动。仅在线的相邻边缘形成较厚的电镀层比起单独的溅射线可以提供显著的性能改进，同时节省大量的金，从而降低成本。
边缘电镀传输线

[发明专利]减少微电子封装中芯片拐角和边缘应力的结构与工艺-CN01819385.4无效
发明人： Q·马;J·马维蒂;Q·特兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-09-25 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：把一种微电子芯片与一个封装衬底对齐，并使用焊球将微电子芯片附接于封装衬底。使用一种导热的粘合剂，把一个特定形状的热扩散器(较佳的做法是令热扩散器的热膨胀系数(CTE)类似于硅的CTE)附接于芯片的后侧。使用一种施与工艺或传递模塑工艺，通过衬底或热扩散器中的一个贯通孔，把基于环氧树脂的包封材料汇入芯片、衬底、以及热扩散器之间的缝隙。通过把热扩散器紧靠芯片拐角与/或边缘加以定位，芯片上的应力明显地得以减少或消除。
减少微电子封装芯片拐角边缘应力结构工艺

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