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[发明专利]具有上部透明电极的光电阵列装置-CN201680082363.1有效
发明人： M·邦瓦迪;S·夏洛;J-M·韦里亚克;J·茹瓦梅尔;P·罗尔 -专利权人：原子能和辅助替代能源委员会;爱色乐居;特里赛尔公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K39/38 文献下载
摘要：矩阵阵列光电装置，包含：基底(S)，在其上沉积底部电极(EI)的矩阵阵列(MEI)；活性结构(STA)，其优选是连续和有机的，设置在所述底部电极矩阵阵列上方，所述结构适合检测光；和至少一个顶部电极(ES)，位于所述活性结构上方，所述顶部电极对活性结构发射或检测的光透明；和至少一个导电元件(C2)，其由基底支撑，不受所述活性结构干涉，且其通过至少一个垂直互连(IV)连接所述顶部电极，所述导电元件的电阻率高于所述顶部电极。所述装置也可包含由闪烁体材料构成的层(SC)，所述层固定于所述顶部电极以形成x射线成像仪。
具有上部透明电极光电阵列装置

[发明专利]有机光电装置、这种装置的阵列以及制造这种阵列的方法-CN201680075746.6有效
发明人： M·邦瓦迪赫;S·夏洛;J-Y·洛朗;J-M·韦里亚克;E·贝尔托;P·罗尔 -专利权人：原子能和能源替代品委员会;ISORG公司;曲克赛尔股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：光电装置(1)包括布置在电绝缘的基底(2)上的层的堆叠，该堆叠至少包括：一个阴极(3)，其由功函数为的材料制成；电子收集层(4)，其布置在所述阴极(3)之上，并且由功函数为薄层电阻为R的材料制成；有源层(5)，其包括至少一个p型有机半导体材料，所述p型有机半导体材料具有能级HO1，其特征在于：所述电子收集层(3)的所述功函数与有源层(5)的所述能级HO1形成能够阻止空穴从所述阴极(3)注入所述有源层(5)的势垒，并且所述电子收集层(4)的所述薄层电阻R大于或等于108Ω。
有机光电装置这种阵列以及制造方法

[发明专利]用于配送密封物质的方法和设备以及用于电机的壳体-CN201980084718.4在审
发明人： S·巴德尔;H·雷思克;P·罗尔;S·约布斯特;M·莫勒 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H02K15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于连接用于电机的壳体盖与壳体杯的方法以及一种通过所述方法产生的壳体杯。所述壳体杯具有开口和包围所述开口的开口边缘。所述壳体盖杯状地构造，其中，不中断的环绕的构造的凸缘成形到在所述开口边缘的区域中的杯壁处，所述凸缘沿径向向外指向。在第一方法步骤中，所述壳体盖被至少部分地插入到壳体开口中，以使得通过壳体盖壁和壳体杯壁的彼此对置的区域来构成凹槽。在另一步骤中，至少部分地或者完全地利用尤其弹性地构造的密封物质或者粘接剂来填充所述凹槽。
用于配送密封物质方法设备以及电机壳体

[发明专利]制备氨基硫醇酯化合物及其盐的方法-CN201780011902.7有效
发明人： P·罗尔;B·德卡尔-卡纳瓦雷特 -专利权人：高级生物设计公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C07C327/22 文献下载
摘要：制备氨基硫醇酯化合物及其盐的方法。本发明涉及制备式(I)化合物的方法，包括以下步骤：a)式(II)化合物与无机酸或有机酸的反应；b)步骤a)中获得的化合物与碱的反应；c)步骤b)中获得的化合物与CO2的反应；d)步骤c)中获得的化合物与氯甲酸烃基酯(即可能与步骤c)中获得的化合物可能形成酰卤的试剂，或者与步骤c)中获得的化合物可能形成混合酸酐的试剂)的反应；e)步骤d)中获得的化合物与SMe‑阴离子前体化合物的反应。
制备氨基硫醇酯化及其方法

[发明专利]对图像探测器的两列像素的池化-CN201480061868.0有效
发明人： T·维尔特;B·博塞;S·马勒科;C·韦宁;P·罗尔 -专利权人：特里赛尔公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：根据本发明，一种图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，包括：传感器(101；111；121；131；201；301；401；501)，其在第一单片基板(12)上制成，包括：像素集(P(i,j))，其在矩阵(13)中以行(Li)和列(Cj)布置，并配置为根据撞击探测器(100；200；300；400)的辐射而生成信号；列导体(Yj)，其每一个链接同一列(Cj)的像素(Pi,j)，并意图传达由所述像素生成的信号；至少一个块形接触件(14，140)，其位于第一基板(12)的外围并在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部，且链接到列导体(Cj)上。在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部在第一基板(12)上，将至少两个列导体(Yj)连接到一起，并且连接到一起的列导体(Yj)朝向至少一个块形接触件(14，140)会聚。
图像探测器像素

[发明专利]具有优化形状的CMOS成像设备，以及用于借助于光刻产生这样的设备的方法-CN201380044092.7有效
发明人： P·罗尔;J-L·马丁;B·博塞;B·杜邦 -专利权人：原子能和辅助替代能源委员会;特里赛尔公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及数字成像设备领域，尤其是用于X射线医学成像的设备。本发明涉及一种包括通过寻址电路被独立寻址的像素的成像设备，并且涉及一种用于经由光刻来产生这样的成像设备的方法。所述成像设备包括传感器(61)，所述传感器(61)的表面积大于或等于10cm2，并且所述传感器(61)包括图像区(23)，其被产生在单个衬底(22)上并且包括按行和列布置的一组像素(24)，每列像素的数目针对像素的全部列不是一致的，每个像素(24)收集由光敏元件生成的电荷；逐行地连接所述像素的行导体；逐列地连接所述像素的列导体；行寻址单元(12)，其被连接到所述行导体以便独立地寻址每行像素；以及列读取单元，其被连接到所述列导体，以便读取由通过所述行寻址单元(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷，所述列读取单元位于所述图像区(23)的周边，所述行寻址单元(12)和所述列读取单元被产生在与所述图像区相同的衬底(22)上。
具有优化形状 cmos 成像设备以及用于借助于光刻产生这样方法

[发明专利]具有增益范围选择的电磁辐射检测器-CN201180021418.5有效
发明人： P·罗尔;J-L·莫罗 -专利权人：特里赛尔公司;原子能和辅助替代能源委员会
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于成像的电磁辐射检测器。该检测器包括多个像素(10)，每个像素将其所经受的电磁辐射(13)转换成电信号。根据本发明，每个像素(10)均包括均将光敏元件(11，12)所接收到的辐射转换成基本电信号的多个光敏元件(11，12)以及根据为检测器所选择的增益范围来从由光敏元件(11，12)所产生的基本电信号中选择以便形成像素(10)的电输出信号的选择装置(14，15)。
具有增益范围选择电磁辐射检测器

[发明专利]制造辐射探测器的方法-CN200880016958.2有效
发明人： G·维厄;J-M·维尼奥勒;P·罗尔;D·库代;S·迪布瓦 -专利权人：特里赛尔公司
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件(1，4)能够感测的辐射，闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件，传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合。该方法在于下述操作是关联的：传感器(1)通过其第二面(12)被沉积于粘合剂膜(13)上；和传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。
制造辐射探测器方法

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