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[发明专利]用于控制光刻系统的方法-CN202080022989.X在审
发明人： O·F·J·努德曼;安东尼厄斯·西奥多勒斯·威廉慕斯·肯彭;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;M·A·范登布林克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻系统，包括辐射源和光刻设备。辐射源将辐射提供至光刻设备。光刻设备使用辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上。成像需要预定剂量的辐射。该系统被控制为根据预定剂量的量值来设定辐射的功率水平。
用于控制光刻系统方法

[发明专利]光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统-CN201880019502.5有效
发明人： O·F·J·努德曼;刚天;R·P·范戈科姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源；以及光刻扫描设备，其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上；和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)。控制系统用于基于感测信号确定表示EUV辐射的远场强度分布的量，并基于所确定的表示远场强度分布的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号(282)。
光刻系统 euv 辐射源扫描设备控制系统

[发明专利]辐射源-CN201480074178.9有效
发明人： M·F·A·厄尔林斯;N·A·J·M·克里曼斯;A·J·J·范迪杰西尔多克;R·M·霍夫斯特拉;O·F·J·努德曼;T·N·费姆;J·B·P·范斯库特;J-C·王;K·W·张 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种琢面反射器(32,32”)，用于接收入射辐射束(2)并引导反射辐射束至目标。琢面反射器包括多个琢面，多个琢面中的每个琢面都包括反射表面。多个琢面的第一子集的每个琢面的反射表面限定第一连续表面的对应部分，并且被配置为在第一方向上反射入射辐射束的对应第一部分以提供反射辐射束的第一部分。多个琢面的第二子集的每个琢面的反射表面限定第二连续表面的对应部分，并且被配置为在第二方向上反射入射辐射束的对应第二部分以提供反射辐射束的第二部分。
辐射源

[发明专利]具有可调集光率的脉冲修正装置-CN200910266086.1有效
发明人： A·乔伯尔;O·F·J·努德曼;P·范德威恩;A·M·温卡塔拉曼 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有可调集光率的脉冲改变装置。束修正单元设置在光刻设备的照射系统中以增大照射束的暂时脉冲长度和集光率。脉冲修正单元接收输入脉冲辐射且发出一个或更多个相应输出脉冲辐射，脉冲修正单元包括将入射脉冲分成第一和第二脉冲部分的分束器，分束器沿第二光学路径引导第一脉冲部分，第二部分被引导在第一光学路径上作为输出束的一部分。第二光学路径包括发散光学元件，发散光学元件角度可在不减小束尺寸的情况下增大束的发散而增大集光率。第一和第二反射镜每一个具有曲率半径，以预定间隔彼此面对，接收第二脉冲部分并且重新引导第二部分使第二部分通过脉冲修正装置的光学路径比第一部分的长。
具有调集脉冲修正装置