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[发明专利]用于阻透的共聚物-CN200780051464.3无效
发明人： G·J·萨米尔斯;G·J·沙菲尔;T·李;C·A·思雷尔福尔;N·伊瓦莫托;E·J·拉伊纳尔 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C01B3/00 文献下载
摘要：一种具有氟代烯烃的聚偏二氟乙烯共聚物，所述氟代烯烃选自2，3，3，3-四氟丙烯、1，1，3，3，3-五氟丙烯、2-氯-五氟丙烯、六氟丙烯、三氟乙烯、三氟氯乙烯、3，3，3-三氟-2-三氟甲基丙烯及其混合物，其中共聚单体的化学计量限定共聚物的阻透性能。此类聚合物包括阻湿共聚物和阻氧共聚物。本发明还提供制备此类阻湿共聚物和阻氧共聚物的方法。
用于共聚物

[发明专利]含硝酸铵复盐的组合物-CN200780002275.7有效
发明人： J·A·克维德;N·伊瓦莫托 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2007-01-13 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C05C1/00 文献下载
摘要：本发明的优选方面提供含有硝酸铵和至少一种第二化合物的硝酸铵组合物，所述第二化合物在显著降低该组合物的爆炸灵敏度和/或改进该组合物所希望的性质的条件下和数量下存在。在特定实施方案中，第二化合物选自硫酸铵、磷酸铵、硝酸钙、硝酸钾、硝酸镁、钼酸铵、六氟硅酸铵、碱式硝酸钕以及它们的两种或更多种的组合。在优选的实施方案中，该组合物中的至少大部分硝酸铵为与一种或多种所述第二化合物的复盐形式。在高度优选的实施方案中，本发明组合物基本上由硝酸铵和本发明所描述的第二化合物的一种或多种复盐组成。
硝酸铵组合

[发明专利]处理剂材料-CN200580030450.4无效
发明人： A·S·巴纳普;B·A·克洛莱夫;R·Y·梁;B·C·穆诺兹;T·A·拉莫斯;R·R·罗思;P·G·阿彭;D·H·恩迪施;B·J·丹尼尔斯;A·纳曼;N·伊瓦莫托 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种当施用至所述薄膜时，能增加有机硅酸盐玻璃介电薄膜疏水性的处理剂组合物。它包括能够通过甲硅烷基化使有机硅酸盐玻璃介电薄膜的甲硅烷醇部分烷基化或芳基化的组分，及可为酸、碱、类化合物、脱水剂及其组合的活化剂，和任选的溶剂或主要溶剂和共溶剂的混合物。
处理材料

[发明专利]填孔和光刻用的抗反射涂层及其制备方法-CN200480040181.5有效
发明人： B·李;J·肯尼迪;N·伊瓦莫托;V·卢;R·梁;M·A·弗拉德金;M·A·胡塞恩;M·D·戈德纳 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G03C1/825 文献下载
摘要：本文描述一种吸收组合物，它包括至少一种无机－基(的)化合物、至少一种吸收化合物，和至少一种材料改性剂。另外，还描述制造吸收组合物的方法，包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂和酸/水混合物，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物；以及b)让该反应混合物在室温下形成吸收组合物。另一种制造吸收组合物的方法包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂和酸/水混合物，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物；以及b)加热该反应混合物以形成吸收组合物。描述又一种制造吸收组合物的方法，包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物，其中该至少一种材料改性剂包含至少一种酸和水；以及b)让该反应混合物形成吸材料、涂层或薄膜。在制造这里描述的吸收组合物的其它方法中，某些方法包括：a)合并至少一种无机－基化合物、至少一种吸收化合物、至少一种材料改性剂，以及一种或多种溶剂以形成反应混合物，其中该至少一种材料改性剂包含至少一种酸和水；以及b)让该反应混合物形成吸收材料、涂层或薄膜。
光刻反射涂层及其制备方法

[发明专利]使用甲硅烷基化剂修复低K介电材料的损伤-CN200480023744.X无效
发明人： A·S·巴纳普;T·A·拉莫斯;N·伊瓦莫托;R·Y·梁;A·纳文 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种用于恢复有机硅酸盐玻璃介电薄膜的表面疏水性的方法，所述薄膜已经受到蚀刻剂或者灰化处理。这些薄膜在制造集成电路中用作绝缘材料以确保这些薄膜的低介电常数和稳定的介电性质。所述方法阻止在这些薄膜中形成应力诱导的空隙。有机硅酸盐玻璃介电薄膜通过使其受到蚀刻剂或灰化剂而形成通路和沟道，除去至少部分原有的含碳部分和减少所述有机硅酸盐玻璃介电薄膜的疏水性。所述通路和沟道其后用金属填充并受到韧化处理。在所述薄膜受到蚀刻剂或灰化剂后但在受到韧化处理前，所述薄膜与增韧剂组合物接触以恢复一些含碳部分并增加有机硅酸盐玻璃介电薄膜的疏水性。
使用硅烷基化剂修复材料损伤

[发明专利]有机硅氧烷-CN03818530.X无效
发明人： W·贝德维尔;N·哈克尔;R·梁;N·伊瓦莫托;J·内德巴尔;S·谢;L·莫罗;S·穆克赫吉 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C08G77/12 文献下载
摘要：本发明提供一种有机硅氧烷，包括至少80重量％的化学式1：[Y_0.01－1.0SiO_1.5－2]_a[Z_0.01－1.0SiO_1.5－2]_b[H_0.01－1.0SiO_1.5－2]_c此处Y是芳基；Z是烯基；a是15－70％的化学式1；b是2－50％的化学式1；和c是20－80％的化学式1。本有机硅氧烷可以用作为陶瓷粘合剂，高温密封剂和纤维基质粘合剂。本组合物也适用于作为一种粘结促进剂，在与非微电子或微电子场合中其它材料结合时呈现良好粘结性。优选地是，本组合物用于微电子场合中作为蚀刻阻挡层(stops)、硬掩模(hardmasks)和绝缘体(dielectrics)。
有机硅

[发明专利]用于低介电常数材料的有机组合物-CN03805938.X无效
发明人： C·－E·李;R·泽雷宾;N·斯雷曼;A·格雷汉;A·纳曼;J·G·斯科尼亚;K·劳;P·G·阿彭;B·科罗勒夫;N·伊瓦莫托 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：(a)介电材料；和(b)成孔剂，所述成孔剂包括至少两个稠合芳环，其中所述稠合芳环上各自具有至少一个烷基取代基且在相邻芳环上的至少两个烷基取代基间存在键。优选所述介电材料为一种包含以下组分的组合物：(a)热固性组分，所述组分包括：(1)任选的下式I的单体和(2)至少一种下式II的低聚物或聚合物，其中Q、G、h、i、j和w如下定义；和(b)成孔剂。优选所述成孔剂选自未官能化的聚苊均聚物、官能化的聚苊均聚物、聚苊共聚物、聚降冰片烯、聚己内酯、聚(2－乙烯基萘)、乙烯基蒽、聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生物、聚硅氧烷、聚酯、聚醚、聚丙烯酸酯、脂族聚碳酸酯、聚砜、聚交酯和它们的共混物。本发明组合物特别可用作微型芯片、多片组件、层压线路板或印刷插线板的介电基体材料。
用于介电常数材料有机组合

[发明专利]有机组合物-CN03805890.1无效
发明人： P·G·阿彭;A·纳曼;B·李;K·劳;B·A·科罗勒;N·伊瓦莫托;W·B·贝德维尔 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：(a)热固性组分，所述组分包括：(1)任选的至少一种下式(I)的单体和(2)至少一种下式(II)的低聚物或聚合物，其中E是笼形化合物(如下定义)；每个Q相同或不同并选自氢、芳基、支化芳基和取代芳基，其中取代基包括氢、卤素、烷基、芳基、取代芳基、杂芳基、芳醚、链烯基、炔基、烷氧基、羟烷基、羟芳基、羟链烯基、羟炔基、羟基或羧基；Gw为芳基或取代芳基，其中取代基包括卤素和烷基；h为0－10；i为0－10；j为0－10；w为0或1；(b)增粘剂，所述增粘剂包括具有至少双官能团的化合物，其中双官能团可相同也可不同，第一官能团能与所述热固性组分(a)相互作用，当将组合物涂覆到基体上时，第二官能团能与基体相互作用。本组合物可用作介电基体材料。
有机组合

[发明专利]用于照相平版印刷的抗反射涂料及其制备方法-CN02827150.5无效
发明人： T·巴尔德温;J·肯尼迪;N·伊瓦莫托;T·纳卡诺;W·贝德维尔;J·斯图克;M·赫伯特;A·叙德迈尔 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C08G77/08 文献下载
摘要：用于紫外照相平版印刷抗反射涂料，包括至少一种混合在无机基材料或无机组合物和/或化合物中的吸收化合物以及至少一种材料改性试剂，如至少一种造孔剂，至少一种高沸点溶剂，至少一种封端剂，至少一种均化剂，至少一种催化剂，至少一种置换溶剂，至少一种pH调节剂，和/或其组合物。可能用于照相平版印刷的适宜的吸收化合物是那些在365nm，248nm，193nm和157nm附近有吸收的化合物。
用于照相平版印刷反射涂料及其制备方法

[发明专利]分层堆栈及其生产方法-CN02808248.6无效
发明人： M·托马斯;B·丹尼斯;P·阿彭;A·纳曼;N·伊瓦莫托;B·科罗勒夫;B.李 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-04-16 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：一种低介电常数分层材料和用于制造所述分层材料的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供一个表面；b)将介质材料旋涂到所述表面上；c)固化所述介质材料，形成介质层；d)将低介电常数材料旋涂到所述介质层上；以及e)固化所述低介电常数材料，形成低介电常数层。可以将每一层旋涂到分层元件上，随之将其固化，然后再涂敷另外的层，或将所有的层都依次旋涂到分层元件上，然后整个堆栈一次固化。
分层堆栈及其生产方法

[发明专利]相容式预制互连结构-CN02807214.6无效
发明人： N·伊瓦莫托;J·佩迪戈;S·蒂斯达尔 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： B32B31/04 文献下载
摘要：一种带有用多个导体(300)刺穿的热固层(100)的组件(10)，在释放层(200)上成形后，被夹在IC和PWB或其它支撑表面之间，然后再固化。在固化热固材料之前或期间去除释放层。在固化前去除可以通过剥离来实现，在固化期间去除可以通过固化方法破坏热固层。
相容预制互连结构

[发明专利]有机组合物-CN01823120.9无效
发明人： P·G·阿彭;B·贝维尔;N·伊瓦莫托;B·A·科罗莱夫;K·劳;B·李;R·泽勒宾 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2001-12-31 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： C08G8/10 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，包含：(a)热固性组分，其中热固性组分包含具有所述结构的单体、所述结构的二聚物或所述单体和所述二聚物的混合物，其中Y选自笼型化合物和硅原子；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆独立地选自芳基、分支的芳基和亚芳基醚；芳基、分支的芳基和亚芳基醚中至少之一有乙炔基；R₇是芳基或被取代的芳基；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆中至少之一包含至少两种异构体；和(b)增粘剂，其包含至少具有双官能团的化合物，其中双官能团可以相同或不同，并且当所述材料施加到衬底上时，第一官能团能够与所述第一和第二主链相互作用，第二官能团能够与所述衬底相互作用。本组合物特别在微电子用途中用作介电材料。
有机组合

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