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[发明专利]低介电常数材料及其制备方法-CN01823116.0无效
发明人： P·阿彭;K·劳;FQ·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;D·纳勒瓦耶克;R·梁 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2001-10-18 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C08G63/78 文献下载
摘要：本发明涉及低介电常数聚合物和生产这些低介电常数聚合物，介电材料和层，以及电子组件的方法。在本发明的一个方面，提供了热固性单体的异构混合物，其中该单体具有芯结构和多个分支，以及将热固性单体的异构混合物聚合，其中聚合包括位于单体的至少一个分支上的乙炔基的反应。在本发明主题的另一个方面，形成了具有带芳族结构部分和第一反应基的第一骨架和带芳族结构部分和第二反应基的第二骨架的旋压低介电常数材料，其中第一和第二骨架通过该第一和第二反应基在优选不用附加交联剂的交联反应中交联，和其中具有至少8个原子的一个笼形结构共价连接于该第一和第二骨架的至少一个。
介电常数材料及其制备方法

[发明专利]用于低介电常数材料的有机组合物-CN03805938.X无效
发明人： C·－E·李;R·泽雷宾;N·斯雷曼;A·格雷汉;A·纳曼;J·G·斯科尼亚;K·劳;P·G·阿彭;B·科罗勒夫;N·伊瓦莫托 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：(a)介电材料；和(b)成孔剂，所述成孔剂包括至少两个稠合芳环，其中所述稠合芳环上各自具有至少一个烷基取代基且在相邻芳环上的至少两个烷基取代基间存在键。优选所述介电材料为一种包含以下组分的组合物：(a)热固性组分，所述组分包括：(1)任选的下式I的单体和(2)至少一种下式II的低聚物或聚合物，其中Q、G、h、i、j和w如下定义；和(b)成孔剂。优选所述成孔剂选自未官能化的聚苊均聚物、官能化的聚苊均聚物、聚苊共聚物、聚降冰片烯、聚己内酯、聚(2－乙烯基萘)、乙烯基蒽、聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生物、聚硅氧烷、聚酯、聚醚、聚丙烯酸酯、脂族聚碳酸酯、聚砜、聚交酯和它们的共混物。本发明组合物特别可用作微型芯片、多片组件、层压线路板或印刷插线板的介电基体材料。
用于介电常数材料有机组合

[发明专利]分层堆栈及其生产方法-CN02808248.6无效
发明人： M·托马斯;B·丹尼斯;P·阿彭;A·纳曼;N·伊瓦莫托;B·科罗勒夫;B.李 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-04-16 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：一种低介电常数分层材料和用于制造所述分层材料的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供一个表面；b)将介质材料旋涂到所述表面上；c)固化所述介质材料，形成介质层；d)将低介电常数材料旋涂到所述介质层上；以及e)固化所述低介电常数材料，形成低介电常数层。可以将每一层旋涂到分层元件上，随之将其固化，然后再涂敷另外的层，或将所有的层都依次旋涂到分层元件上，然后整个堆栈一次固化。
分层堆栈及其生产方法

[发明专利]基于笼型结构的低介电常数有机电介质-CN02807986.8无效
发明人： K·劳;F·Q·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·哲雷宾;R·梁 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： C08F8/00 文献下载
摘要：一种低介电常数材料，其具有带有芳族部分和第一反应性基团的第一主链，和带有芳族部分和第二反应性基团的第二主链，其中第一和第二主链在交联反应中通过第一和第二反应性基团交联而没有外加交联剂，并且其中含有至少10个原子的笼型结构共价结合到第一和第二主链至少之一上。
基于结构介电常数有机电介质

[发明专利]用于热固化有机组合物中的分子的组分和方法-CN01815765.3无效
发明人： K·劳;F·Q·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;D·纳勒瓦杰克 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2001-07-13 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： C08G14/04 文献下载
摘要：在生产低介电常数聚合物的方法中，提供了热固性单体，其中该热固性单体具有笼形化合物或芳基芯结构，以及以共价键连接于笼形化合物或芯结构的多个分支。在后续步骤中，将热固性单体引入到聚合物中，形成低介电常数聚合物，其中引入到聚合物中包括位于至少一个分支中的三键的化学反应。设想的笼形化合物和芯结构包括金刚烷、金刚烃、硅、苯基和六亚苯基，而优选的分支包括亚芳基、支化亚芳基和亚芳基醚。热固性单体可以有利地用于生产电子器件中的低k介电材料，并且该聚合物的介电常数能够通过改变分支的总长度来控制。
用于固化有机组合中的分子组分方法

[发明专利]具有聚合网状结构的低介电常数材料-CN01815352.6无效
发明人： K·劳;F·Q·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;D·纳勒瓦杰克 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2001-07-12 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： C08G14/04 文献下载
摘要：一种低介电常数材料具有聚合网状结构，该网状结构由第一和第二成分制造。该第一成分包含聚合物链，并且该第二成分包含有中心部分的分子，并从中心部分延伸出至少三条臂，其中每条臂包括具有反应性基团的主链。当第一成分和第二成分经热活化时，在包括至少一个反应性基团的反应中，第一成分和第二成分形成聚合网状结构。所述低介电常数材料可有利地用于制造电子设备，特别是该电子设备包括集成电路。
具有聚合网状结构介电常数材料

[发明专利]基于笼形结构的低介电常数有机电介质-CN01807441.3无效
发明人： K·劳;F·Q·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;R·梁 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2001-04-06 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C08F281/00 文献下载
摘要：一种低介电常数的材料，具有带芳烃部分和第一反应基的第一骨架和带芳烃部分及第二反应基的第二骨架，其中第一和第二骨架是经第一和第二反应基在无外加交联剂的交联反应而被交联，和其中具有至少10个原子的笼形结构是被共价键合在至少一个第一及第二骨架上的。
基于结构介电常数有机电介质