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- [发明专利]具有在多个位置处进料的稀释气体流的经调温的导气管-CN201580057372.0有效
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M.格斯多夫;M.道尔斯伯格;B.帕加达拉戈皮;M.朗
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艾克斯特朗欧洲公司
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2015-10-01
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2019-06-04
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C23C14/12
- 本发明涉及一种在衬底(20)上沉积一个或多个特别是有机层的装置或方法，包括具有蒸发器(1',11')的工艺气体源(1,11)，在该蒸发器(1',11')中源调温器(2,12)产生源温度(T1,T1')，其中，向该蒸发器(1',11')中通入运载气体输入管线(4,14)，以将气态原料进料到第一输送管线(5,15)中，其中第一输送管线(5,15)可用管线调温器(7,17)调温，并且向第一输送管线(5,15)中通入第一稀释气体输入管线(8,18)，以将稀释气体流进料到第一输送管线(5,15)中，并且包括借助气体入口调温器(32)可调温至气体入口温度(T5)的气体入口机构(31)，该气体入口机构与第一输送管线(8,18)成管线连接，用该气体入口机构可将气态原料进料到工艺室(30)中，该工艺室具有承受器(35)，该承受器可借助承受器调温器(27)以这样的方式调温至承受器温度(T6)，使得位于承受器(35)上的衬底(20)上借助气态原料生长层。
- 具有位置进料稀释气体调温气管
- [发明专利]CVD反应器的进气机构-CN201280033705.2有效
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H.席尔瓦;N.朱奥尔特;V.塞韦尔;F.克劳利;M.道尔斯伯格;J.林德纳
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艾克斯特朗欧洲公司
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2012-07-05
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2014-03-19
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C23C16/455
- 本发明涉及一种CVD反应器的进气机构(2)，其具有进气壳体，进气壳体具有至少一个可由第一输送管(21)输送第一处理气体的第一气体分配腔(5)，第一气体分配腔(5)具有多个分别设计为管件的气体管道(8)，气体管道(8)伸入安置于进气壳体壁(10)前方的排气板(14)的第一开口(16)内，并且第一处理气体通过气体管道(8)进入设置于排气板(14)下方的处理室内，并且进气机构(2)还具有设置在进气壳体壁(10)和排气板(14)之间的间隔空间(20)。设置有与进气壳体壁(10)邻接的冷却剂室(7)，冷却剂可被送入冷却剂室(7)内，用于冷却进气壳体壁(10)以及与被冷却的进气壳体壁(10)传热连接的气体管道(8)的管口(8')，其中，排气板(14)与进气壳体壁(10)之间不传热，从而使得受到来自于处理室(22)的热辐射的排气板(14)相比于伸入到排气板(14)的开口(16)内的管口(8')被更大程度地加热。
- cvd反应器机构
- [发明专利]化学气相沉积反应器-CN201080039892.6无效
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G.K.斯特劳赫;D.布里恩;M.道尔斯伯格
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艾克斯特朗欧洲公司
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2010-08-30
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2012-07-25
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C23C16/46
- 本发明涉及一种化学气相沉积反应器，该化学气相沉积反应器带有布置在反应器壳体内的可加热的主体(2，3)，带有与主体(2，3)间隔的、用于加热所述主体(2，3)的加热装置(4，17)，以及带有与主体(2，3)间隔的冷却装置(5，18)，该冷却装置这样布置，使得从加热装置(4，17)经由加热装置(4，17)和主体(2，3)之间的间隙向主体(2，3)传递热量并且从主体(2，3)经由主体(2，3)和冷却装置(5，18)之间的间隙向冷却装置(5，18)传递热量。为了可重现地局部影响被加热的工艺腔室壁的表面温度，本发明建议了在冷却/或加热装置(4，5，17，18)之间的间隙中布置调节体(6，19)。在热处理过程中和/或在时间上相继的处理步骤之间，这样地移动调节体(6，19)，使得局部影响热传输。
- 化学沉积反应器
- [发明专利]用于沉积层的CVD反应器和方法-CN201080037460.1有效
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G.K.斯特劳克;M.道尔斯伯格
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艾克斯特朗欧洲公司
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2010-08-02
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2012-05-30
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C23C16/455
- 本发明涉及一种具有加工腔(1)的CVD反应器，所述加工腔(1)的底部(3)由基座(2)形成，所述基座(2)用于接收待用层进行涂敷的衬底(4)，所述加工腔(1)的顶部(6)由进气元件(5)的下侧形成，其中该进气元件(5)的下侧具有多个均匀分布在其整个面上的进气开口(13、14)，该进气开口(13、14)分为条状的、在延伸方向上相互平行的第一和第二进气区域(11、12)，其中第一进气区域(11)的进气开口(13)连接共用的第一过程-气体输入管线(9)用于将第一加工气体引入所述加工腔(1)中，第二进气区域(12)的进气开口(14)连接不同于第一过程-气体输入管线(9)的共用的第二过程-气体输入管线(10)用于将第二加工气体引入所述加工腔(1)中，其中所述第一和第二进气区域(11、12)交替地并行排列。每个进气区域(11、12)的多个横跨延伸方向并行排列的进气开口(13、14)的间距(D)约为加工腔(1)的高度(H)的四分之一，每个进气区域(11、12)的宽度(W)约等于高度(H)。
- 用于沉积cvd反应器方法
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