专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]紫外线系统以及紫外线设备-CN201620686149.4有效
  • T·J·贝特尔斯;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
  • 2016-06-30 - 2017-04-12 - A61L9/20
  • 本实用新型提供了紫外线系统以及紫外线设备。一种紫外线系统包括具有可密封开口的柔性外壳,所述外壳包括能够具有至少0.1米‑1的形变曲率,并界定所述外壳的内部体积的柔性基板,其中所述柔性基板由多个层形成用于在所述外壳之内散布并容纳紫外线辐射,所述多个层包括紫外线反射层;以及位于所述紫外线反射层的外侧上的紫外线吸收层;所述外壳还包括安装在所述柔性基板上的至少一个紫外线辐射源。所述紫外线系统以及紫外线设备用于消毒领域。本实用新型的一个方面的技术效果是提供一种改进的紫外线系统的技术。
  • 紫外线系统以及设备
  • [实用新型]半导体器件-CN201620160480.2有效
  • M·加耶夫斯基;G·西敏;M·S·沙塔拉维;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
  • 2016-03-03 - 2016-12-28 - H01L23/48
  • 提供了一种半导体器件。半导体器件包括:包含半导体层的半导体结构;以及至半导体层的基本上线性的穿孔接触件,穿孔接触件包含:由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件,其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度;以及位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。本实用新型用于半导体器件中。本实用新型的一个方面的目的是提供至半导体结构中的半导体层的穿孔欧姆接触件。本实用新型的一个方面的技术效果是相应半导体器件的操作、稳定性以及寿命可以通过采用改进的欧姆接触件而提升。
  • 半导体器件
  • [实用新型]一种半导体器件-CN201620205930.5有效
  • M·S·沙塔拉维;R·杰因;杨锦伟;M·舒尔;R·格斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
  • 2016-03-17 - 2016-10-05 - H01L33/22
  • 本公开涉及一种半导体器件。要解决的一个技术问题是提供用于改进半导体层的生长的图案化表面。该半导体器件包括衬底,所述衬底包括具有有助于在其上生长缓冲层的一组属性的图案化表面,其中图案化表面包括多个平坦的顶表面和具有多个底表面的多个开口,以及其中多个平坦的顶表面中的至少一个或者多个底表面中的至少一个被图案化用于具有对应于器件工作波长的辐射。本实用新型的一个方面的技术效果是,通过使用改进的图案化表面和构造用来在图案化表面上进行导波辐射的至少一个表面可以提高半导体器件的光学性质。
  • 一种半导体器件

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